"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионная имплантация пористого фосфида галлия
Ушаков В.В.1, Дравин В.А.1, Мельник Н.Н.1, Заварицкая Т.В.1, Лойко Н.Н.1, Караванский В.А.2, Константинова Е.А.3, Тимошенко В.Ю.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar и термоотжига на свойства пористого фосфида галлия (por-GaP), полученного электрохимическими методами. На основе данных комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции показано, что в отличие от пористого кремния por-GaP не обладает повышенной радиционной стойкостью, а термоотжиг дефектов в аморфизированных ионной имплантацией слоях затруднен вследствие отсутствия хорошей кристаллической основы для процессов твердотельной эпитаксиальной рекристаллизации. Данные по радиационному дефектообразованию и зондированию материала редкоземельным "люминесцентным зондом" соответствуют представлениям о мезопористой структуре материала.
  1. Y. Kanemitsu. Phys. Reports, 263, 3 (1995)
  2. A.G. Cukkis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  3. А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994)
  4. Ф.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30, 1473 (1996)
  5. I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki, V.A. Karavanskii, V.N. Sokolov, Y.S. Raptis, E. Anastassakis. Sol. St. Commun. 97, 675 (1996)
  6. A. Aneda, A. Serpi, V.A. Karavanskii, I.M. Tiginyanu, V.M. Ichizli. Appl. Phys. Lett., 67, 3316 (1995)
  7. A. Meijerink, A.A. Bot, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 69, 2801 (1996)
  8. V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 1998 (в печати)
  9. S. Hayashi, H. Kanamori. Phys. Rev. B, 26, 7079 (1982)
  10. А.Э. Юнович. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., 1972) с. 304
  11. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., 1983)
  12. В.В. Ушаков, В.А. Дравин, Н.Н. Мельник, В.А. Караванский, Е.А. Караванский, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 31, 1126 (1997)
  13. А.М. Гукасян, В.М. Коннов, Н.Н. Лойко. КСФ, N 3--4, 44 (1992)
  14. В.А. Дравин, В.М. Коннов, Т.В. Ларикова, Н.Н. Лойко. КСФ, N 3--4, 18 (1995)
  15. A.A. Gippius, V.V. Ushakov, V.N. Yakimkin, V.S. Vavilov. Nucl. Instr. Meth. B, 39, 492 (1989)
  16. V.V. Ushakov, A.A. Gippius. J. Cryst. Growth, 101, 458 (1990)
  17. В.М. Коннов, Н.Н. Лойко. КСФ, N 9--10, 1997
  18. В.М. Коннов, Н.Н. Лойко, С.Г. Черноок, О.М. Бородина. КСФ, 1998 (в печати)
  19. В.Н. Якимкин. Автореф. канд. дис. (МГУ, физ. фак., 1988)
  20. К.А. Кикоин, Л.А. Манакова. ФТП, 29, 291 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.