Вышедшие номера
Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках
Емельянова Е.В.1, Архипов В.И.1
1Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.