"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках
Емельянова Е.В.1, Архипов В.И.1
1Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Теоретически рассматривается модель фотоиндуцированной оптической анизотропии в аморфных полупроводниках. Изменение оптических характеристик образца связывается с фотогенерацией близнецовых электронно-дырочных пар. Если пары генерируются линейно поляризованным светом, то дипольные моменты близнецовых пар лежат главным образом в плоскости поляризации, что делает образец оптически анизотропным. Модель связывает оптическую анизотропию образца со средним квадратом проекции дипольного момента единицы объема на ось поляризации излучения < P2z>. Эволюция величины < P2z> определяется кинетикой дрейфа и рекомбинации носителей в близнецовых парах. Рассчитывается кинетика фотоиндуцированной анизотропии при непрерывном облучении образца и релаксация последней при импульсном воздействии поляризованного света.
  1. В.И. Архипов, Е.В. Емельянова. ФТП, 28, 1776 (1994)
  2. В.М. Любин, В.К. Тихомиров. ФТТ, 32, 1838 (1990)
  3. А.М. Андриеш, В.В. Пономарь, В.Л. Смирнов, А.В. Миронос. Квант. электрон., 13, 1093 (1986)
  4. Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники. Сб. под ред. А.М. Андриеша (Кишенев, Шниинца, 1991)
  5. В.М. Любин, В.К. Тихомиров. Письма ЖТФ, 15, 29 (1989)
  6. В.И. Архипов. ФТП, 20, 556 (1986)
  7. V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phil. Mag. B, 45, 189 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.