Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 3
Жузе В.П., Шелых А.И.
Оптические свойства и электронная структура полуторных сульфидов и окислов редкоземельных металлов (О б з о р)
393
Добровольский В.Н., Винославский М.Н., Павлюк С.П., Коломицкий Н.Г.
О механизме работы диодного стабилизатора тока
416
Кияк С.Г., Крэчун В., Маненков А.А., Медиану Р., Михайлова Г.Н., Михэилеску И.Н., Прохоров А.М., Урсу И.
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO
2
-лазера
421
Витовский Н.А., Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В., Полоскин Д.С.
Эффективность образования точечных дефектов в n- и p-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
425
Крылов К.Р., Пономарев А.И., Цидильковский И.М., Гавалешко Н.П., Хомяк В.В.
Магнитные и электрические свойства Hg
1-x
Eu
x
Te и Hg
1-x
Eu
x
Se
429
Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Тийс С.А., Плотников А.Е.
Имплантация азота в кремний при 700-1100
o
C
434
Агринская Н.В., Матвеев О.А., Терентьев А.И., Шашкова В.В.
Неэквивалентные состояния примеси фосфора в кристаллах CdTe
439
Ендриховский С.А., Ройзин Я.О., Свиридов В.Н., Цыбесков Л.В.
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
444
Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М., Кудоярова В.Х., Мездрогина М.М., Сорокина К.Л., Терехов В.А., Тростянский С.Н.
Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния
450
Брук А.С., Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Нуллер Т.А., Шленский А.А., Югова Т.Г.
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
456
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Румянцев Б.Л., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении "медленных" поверхностных электромагнитных волн
461
Пенин Н.А.
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
466
Аронзон Б.А., Копылов А.В., Мейлихов Е.З.
Высокочастотная проводимость n-Cd
x
Hg
1-x
Te вблизи перехода металл-диэлектрик
471
Андреев В.М., Еремин В.К., Строкан Н.Б.
Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых n
+
-p-p
+
-структурах
478
Васин А.С., Окулич В.И., Пантелеев В.А.
Аномально-ускоренная диффузия фосфора из ионно-имплантированного слоя кремния под давлением
483
Дугаев В.К., Петров П.П.
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
488
Гордеев В.А., Гуцев Г.Л., Мякенькая Г.С.
О конфигурации "аномального" мюония в кристаллической решетке кремния
493
Долманов И.Н., Рыжий В.И., Толстихин В.И.
К теории туннельно-резонансного инжектора
499
Арутюнян В.М., Димаксян М.Л., Элбакян В.Л., Григорян Г.Е.
Рентгеночувствительность моноселенида галлия
505
Константинов О.В., Мезрин О.А., Трошков С.И.
Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
508
Балтрамеюнас Р., Велецкас Д.
Влияние амплитудной решетки на дифракционную эффективность динамических голограмм в кремнии
517
Авраменко С.Ф., Киселев В.С., Махлин А.Н.
Исследование диффузии свободных экситонов в 3C-SiC-светодиодах
521
Атабаев И.Г., Баграев Н.Т., Машков В.А., Саидов М.С., Сирожов У., Юсупов А.
Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si-Ge
525
Стариков Е.В., Шикторов П.Н.
Циклотронный резонанс тяжелых дырок Ge с положительными эффективными массами в условиях многопучкового стриминга в E|| B полях
532
Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
К теории вертикального ЛСР фоторезистора
536
Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Федоров В.М.
Коллективные процессы в примесном рекомбинационном излучении прямозонных полупроводников
542
Кольченко Т.И., Мороз С.Е.
О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия
546
Демидов Е.С., Карзанов В.В., Павлов П.В.
Влияние плотности ионного тока при имплантации на эффект дальнодействия в кристаллах кремния с примесью железа
548
Батырев В.А., Лукашевич П.Г.
О влиянии неоднородности распределения электронов и дырок на спектры излучения электронно-дырочной плазмы
550
Ляпилин И.И., Карягин В.В.
Новый тип осцилляции кинетических коэффициентов в квантовых структурах
552
Скупов В.Д., Цыпкин Г.А., Шенгуров В.Г.
Влияние гидростатического давления на характеристики диодов с барьером Шоттки
554
Азимов Г.К., Зайнабидинов С., Назыров Д.Э.
Диффузия скандия в кремнии
556
Манассон В.А., Комиссаров Г.П.
Отрицательная дифференциальная фотопроводимость в МТДП структурах
557
Пасеков В.Ф.
Экспериментальное подтверждение модели туннельных избыточных токов в p-n-переходах на антимониде индия
559
Воронков В.П., Вяткин А.П., Иванов Б.В., Кулешов С.М., Рухадзе З.А.
Вольтамперные характеристики контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу
562
Балтрамеюнас Р., Юршенас С., Жукаускас А., Куокштис Э., Латинис В.
Кинетика возгорания люминесценции остывающей электронно-дырочной плазмы в кристалле CdSe
565
Гредескул Т.С.
Линейная по току энергетическая неоднородность квазичастиц в полупроводниковых слоях
568
Бакши И.С., Гринь В.Ф., Карачевцева Л.А., Кадалашвили М.З., Сальков Е.А., Хижняк Б.И.
Влияние дефектов структуры на интенсивность 1/f-шума в n-Cd
x
Hg
1-x
Te
571
Курова И.А., Мочалова Д.А., Лупачева А.Н.
Аномальный эффект Стеблера-Вронского в легированных бором пленках a-Si : Н
573
Абрамишвили В.Г., Комаров А.В., Рябченко С.М., Погорелый В.И.
Гигантские спиновые расщепления экситонных состояний в ван-флековском магнитосмешанном полупроводнике Zn
1-x
Fe
x
Te
575
Аннотации депонированных статей
578
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук