Рассмотрена кинетическая модель умножения фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводнике в сильном электрическом доле. Показано, что эффект умножения фотовозбужденных носителей обусловлен увеличением времени жизни этих носителей вследствие компенсации темпов рекомбинации и ударной ионизации. Максимальное умножение имеет место при пробивной напряженности поля, т. е. при наступлении электрического пробоя. Коэффициент умножения при пробивном ноле возрастает вместе с концентрацией компенсирующей примеси и уменьшается с увеличением концентрации основной примеси, температуры и интенсивности оптической ионизации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.