Исследованы резонансные явления в фотоэлектрических свойствах диодов Шоттки с регулярно профилированной поверхностью: резонансные пики фотоответа на спектральных и угловых зависимостях при возбуждении p-поляризованным светом и аналогичные пики в спектрах электролюминесценции диодов в условиях, когда возможно существование поверхностных электромагнитных волн на границе металл-полупроводник, так называемой "медленной" поляритонной моды. В структурах Аu-n-GaP при возбуждении примесным светом со стороны полупроводника фотоответ возрастает более чем на порядок по сравнению с диодом без профилирования и становится селективным, причем резонансная длина волны сильно зависит от диэлектрических свойств границы раздела. На спектрах электролюминесценции этих же структур получены линейно поляризованные пики, вызванные возбуждением поверхностных электромагнитных волн.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.