"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Письма в журнал технической физики

Письма в Журнал технической физики основаны в 1975 году и по своему содержанию служат аналогом американского журнала Applied Physics Letters.

Журнал предназначен для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу технического применения. Публикация в Письмах в ЖТФ не только не исключает, но и предполагает публикацию развернутых работ на ту же тему как в ЖТФ, так и в соответствующих специализированных журналах (Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, Физика плазмы, Квантовая электроника и др.). Поэтому тематика публикуемых Письмами в ЖТФ статей шире тематики ЖТФ.

Периодичность выхода в свет -- два выпуска в месяц.

ISSN: 0320-0116

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет ООО Международная академическая компания "Наука/Интерпериодика" (МАИК "Наука"). Издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Номера журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 22
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка (445)
Год 2014, выпуск 14
Прозрачные проводящие тонкие пленки на основе ZnO, полученные магнетронным распылением композитной мишени ZnO : Ga-C (430)
Год 2002, выпуск 22
Газофазный синтез структур ZnO (405)
Год 2015, выпуск 3
Изменение структуры и стехиометрии керамики оксида цинка в процессе спекания в открытой атмосфере (400)
Год 2016, выпуск 8
Динамика импульсной лазерной абляции золота в вакууме в режимах синтеза наноструктурных пленок (180)
Год 2019, выпуск 8
Особенности транспорта электронов и фотопроводимости в слое наноразмерных частиц сульфида свинца (76)
Год 2008, выпуск 7
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации (63)
Год 2002, выпуск 15
Соотношение Рамо--Шокли для RCL-цепи (62)
Год 2010, выпуск 18
Исследование методом комбинационного рассеяния фазовых превращений наноструктурированного анатаза TiO2 в результате ударного сжатия (59)
Год 2005, выпуск 18
Структура и магнитные свойства наночастиц на основе железа в оксидной оболочке (58)
Год 2019, выпуск 8
Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs (54)
Год 2016, выпуск 22
Электрический взрыв проводника в энергоаккумулирующих фазовых материалах с наноразмерными полупроводящими добавками (53)
Год 1999, выпуск 14
Использование эллипсометрических измерений для высокочувствительного контроля температуры поверхности (52)
Год 2012, выпуск 24
Определение термодинамических параметров плазмы алюминиевого X-пинча (52)
Год 2019, выпуск 7
Филаментация и самофокусировка электронных пучков в вакуумных и газовых диодах (51)