"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Письма в журнал технической физики

Письма в Журнал технической физики основаны в 1975 году и по своему содержанию служат аналогом американского журнала Applied Physics Letters.

Журнал предназначен для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу технического применения. Публикация в Письмах в ЖТФ не только не исключает, но и предполагает публикацию развернутых работ на ту же тему как в ЖТФ, так и в соответствующих специализированных журналах (Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, Физика плазмы, Квантовая электроника и др.). Поэтому тематика публикуемых Письмами в ЖТФ статей шире тематики ЖТФ.

Периодичность выхода в свет -- два выпуска в месяц.

ISSN: 0320-0116

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет ООО Международная академическая компания "Наука/Интерпериодика" (МАИК "Наука"). Издателем англоязычной версии является компания Pleiades Publishing, Ltd. Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Номера журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2016, выпуск 8
Динамика импульсной лазерной абляции золота в вакууме в режимах синтеза наноструктурных пленок (222)
Год 2010, выпуск 21
Сверхмикротвердость керамики на основе нанодисперсных порошков оксида алюминия с добавками нанопорошков оксидов магния и кремния (87)
Год 2016, выпуск 22
Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN (59)
Год 2000, выпуск 24
Экспериментальное исследование физических эффектов в динамической магнитной системе (58)
Год 2008, выпуск 7
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации (50)
Год 2009, выпуск 3
Влияние магнитного поля на ионизующий разряд в воздухе (48)
Год 2011, выпуск 18
Предельная чувствительность фотоприемного устройства на основе фотодиодов A3B5 среднего ИК-диапазона спектра (47)
Год 2016, выпуск 22
Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации (45)
Год 2011, выпуск 14
Исследование прохождения и отражения СВЧ-излучения в многослойных композитных материалах CaSO4· 2H2O--графит (41)
Год 2016, выпуск 22
Электрический взрыв проводника в энергоаккумулирующих фазовых материалах с наноразмерными полупроводящими добавками (40)
Год 2016, выпуск 21
Воздействие внешних условий на электронные свойства однослойных углеродных нанотрубок (38)
Год 2016, выпуск 24
Источники радиоосвещения на основе сверхширокополосных микрогенераторов хаотических колебаний (36)
Год 2016, выпуск 22
Радиационно-индуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл-диэлектрик (36)
Год 2016, выпуск 21
Керамический нанокомпозит с повышенной твердостью на основе корунда, модифицированного углеродом (34)
Год 2016, выпуск 19
Распространение тепла в многослойных наноструктурах (34)