"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Письма в журнал технической физики

Письма в Журнал технической физики основаны в 1975 году и по своему содержанию служат аналогом американского журнала Applied Physics Letters.

Журнал предназначен для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу технического применения. Публикация в Письмах в ЖТФ не только не исключает, но и предполагает публикацию развернутых работ на ту же тему как в ЖТФ, так и в соответствующих специализированных журналах (Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, Физика плазмы, Квантовая электроника и др.). Поэтому тематика публикуемых Письмами в ЖТФ статей шире тематики ЖТФ.

Периодичность выхода в свет -- два выпуска в месяц.

ISSN: 0320-0116

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет ООО Международная академическая компания "Наука/Интерпериодика" (МАИК "Наука"). Издателем англоязычной версии является компания Pleiades Publishing, Ltd. Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Номера журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2016, выпуск 8
Динамика импульсной лазерной абляции золота в вакууме в режимах синтеза наноструктурных пленок (210)
Год 2009, выпуск 3
Влияние магнитного поля на ионизующий разряд в воздухе (71)
Год 2008, выпуск 7
Зависимость характеристик рассеяния голографических диффузоров от параметров схемы регистрации (60)
Год 2001, выпуск 20
Электромагнитное излучение нелинейно осциллирующей заряженной капли (56)
Год 2010, выпуск 21
Сверхмикротвердость керамики на основе нанодисперсных порошков оксида алюминия с добавками нанопорошков оксидов магния и кремния (54)
Год 2011, выпуск 18
Предельная чувствительность фотоприемного устройства на основе фотодиодов A3B5 среднего ИК-диапазона спектра (46)
Год 2017, выпуск 2
Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm (42)
Год 2017, выпуск 2
Новая углеродная структура в отожженных пленочных покрытиях системы углерод-свинец (41)
Год 2017, выпуск 2
Полировка поверхности сверхтвердых материалов пучками газовых кластерных ионов (38)
Год 2017, выпуск 2
Создание дифракционной решетки на алмазной подложке имплантацией ионами бора (35)
Год 2010, выпуск 15
Определение эффекта Баушингера методом прямого удара (34)
Год 1999, выпуск 17
Об условиях контрагирования многоэлектродного коронного разряда на смесях He/Ar, Kr, Xe (34)
Год 2017, выпуск 1
Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке (33)
Год 2002, выпуск 15
Соотношение Рамо--Шокли для RCL-цепи (33)
Год 2017, выпуск 1
Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения (32)