Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 11
Иванов П.А., Челноков В.Е.
Полупроводниковый карбид кремния --- технология и приборы О б з о р
1921
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н.
Пространственный заряд инжектированных баллистических электронов с отрицательной эффективной массой
1944
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н., Митин В.В.
Промежуточное состояние управляемой четырехслойной p-n-p-n-структуры
1958
Варданян Б.Р., Юнович А.Э.
Фотолюминесценция легированных множественных квантовых ям GaAs/Al
x
Ga
1- x
As при высоком уровне возбуждения
1976
Вощилова Р.М., Димитров Д.П., Долотов Н.И., Кузьмин А.Р., Махин А.В., Мошников В.А., Таиров Ю.М.
Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магнетронным распылением
1987
Шаповалов В.П., Грядун В.И., Королев А.Е.
Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении
1995
Лукашевич П.Г.
О контуре спектра излучения электронно-дырочной плазмы при однофотонном возбуждении прямозонных полупроводников
2002
Кульбачинский В.А., Марьянчук П.Д., Чурилов И.А.
Электрические и магнитные свойства полумагнитных полупроводников Hg
1-x
Mn
x
Te
1-y
Se
y
2007
Акимов Б.А., Албул А.В., Ильин В.Ю., Некрасов М.Ю., Рябов Л.И.
Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe (Ga)
2015
Воронко А.И., Куменков С.Е., Шкерлин Г.Н.
Особенности нелинейного отражения электромагнитных волн от многослойной структуры, связанные с разогревом электронного газа в легированном слое n-GaAs
2024
Джакели В.Г., Качлишвили З.С., Матешвили Н.Ю.
О кинетике тока и кинетических коэффициентах в импульсных полях
2033
Штурбин А.В., Шалыгин В.А., Стафеев В.И.
Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
2039
Урманов Н.А.
Трансформация спектра термостимулированного тока в n-=sup=-+-=/sup=---pi--p-переходе при учете электрического поля в нейтральном слое pi-области
2053
Аверков Ю.О., Басс Ф.Г., Панчеха А.П.
Особенности динамической локализации электрона -1mmв квантовой полупроводниковой сверхрешетке в быстропеременном электромагнитном и постоянном магнитном полях
2062
Волл В.А.
Энергетическая оценка фотолитических центров в Ag
2
O
2071
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович Р.Ш., Скорятина Е.А.
Распределение изотопов, образованных в арсениде галлия при облучении высокоэнергетичными протонами, дейтонами и ядрами
3
He
2078
Образцов А.Н., Гоманюк А.А., Микуленок А.В., Терра Ф.С.
Влияние поверхностного потенциала на комбинационное рассеяние света в фосфиде индия
2082
Куницын А.Е., Новиков С.В., Чалдышев В.В., Панек М., Пашкевич Р., Пашкевич Б., Тлакзала М.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga--Bi растворов--расплавов
2088
Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Томасов А.А.
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
2092
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук