Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2023, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 7
Международная конференция ФизикА.СПб/2023
517
Харитонова П.Г., Глуховской Е.Г., Козловский А.В., Стецюра С.В.
Фотоэлектрические характеристики и морфология поверхности сульфида кадмия, модифицированного арахинатом железа
518
Ярчук Э.Я., Вячеславова Е.А., Шварц М.З., Гудовских А.С.
Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью
522
Кавеев А.К., Федоров В.В., Дворецкая Л.Н., Федина С.В., Мухин И.С.
Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов InAs
1-x
P
x
на Si(111)
526
Карлина Л.Б., Власов А.С., Илькив И.В., Вершинин А.В., Сошников И.П.
Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
530
Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш.
Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si
534
Салий Р.А., Минтаиров С.А., Надточий А.М., Калюжный Н.А.
Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона
538
Черников А.С., Кочуев Д.А., Вознесенская А.А., Абрамов Д.В., Хорьков К.С.
Формирование наночастиц ZnS различной стехиометрии при воздействии нано- и фемтосекундного лазерного излучения в электростатическом поле
542
Артеев Д.С., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф.
Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
546
Лаврухина Е.А., Хомицкий Д.В., Тележников А.В.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
551
Философов Н.Г., Будкин Г.В., Агекян В.Ф., Karczewski G., Серов А.Ю., Вербин С.Ю., Штром И.В., Резницкий А.Н.
Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/CdMnTe и CdTe/CdMgTe с квантовыми ямами, разделенными широкими барьерами
555
Монозон Б.С., Федорова Т.А., Schmelcher P.
Многофотонный эффект Франца--Келдыша в ленте графена кресельного типа
559
Крючков С.В., Кухарь Е.И., Котельников Е.Ю.
Магнитные мини-зоны в сверхрешетках на основе полудираковских кристаллов
563
Фомичев С.А., Бурдов В.А.
Синглет-триплетные излучательные переходы в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами
566
Конобеева Н.Н., Трофимов Р.Р., Белоненко М.Б.
Квантовый транспорт во фрактальных решетках с кулоновским взаимодействием
570
Давыдов В.Ю., Смирнов A.H., Eлисеев И.А., Китаев Ю.Э., Шарофидинов Ш.Ш., Лебедев А.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Бауман Д.А., Романов А.Е., Козловский В.В.
Исследование Cr
3+
примесной люминесценции в протонно-облученном β-Ga
2
O
3
573
Продолжение публикации материалов Конференции см. в No 8/23
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Быков А.А., Номоконов Д.В., Стрыгин И.С., Марчишин И.В., Бакаров А.К.
Двухподзонный магнетотранспорт в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием
577
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Покрышкин Н.С., Собина И.О., Кныш А.А., Еремина А.С., Сюй А.В., Якунин В.Г., Тимошенко В.Ю.
Особенности фотоиндуцированного нагрева перовскитных нанокристаллов с эффективной антистоксовой фотолюминесценцией при резонансном лазерном возбуждении
584
Физика полупроводниковых приборов
Маричев А.Е., Эполетов В.С., Пушный Б.В., Власов А.С., Лихачев А.Е.
Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм
590
Любутин С.К., Патраков В.Е., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н.
Пространственная неоднородность ударно-ионизационного переключения силового кремниевого диода
594
Михайлов А.В., Курдюбов А.С., Храмцов E.C., Игнатьев И.В., Грибакин Б.Ф., Cronenberger S., Scalbert D., Владимирова М.Р., Andre R.
Экситонная динамика в квантовой яме CdTe/CdZnTe
*
603
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук