Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2006, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, выпуск 4
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А.
Моделирование диффузии алюминия в кремнии в инертной и окислительной средах
385
Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А.
Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы
391
Электронные и оптические свойства полупроводников
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е.
Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe
397
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г.
Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках
400
Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М.
Фотопроводимость и люминесценция в монокристалле CuInSe
2
при высоком уровне возбуждения
406
Мигаль В.П., Фомин А.С.
Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe
408
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С.
Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур Al
x
Ga
1-x
As/GaAs (100) с фазой упорядочения AlGaAs
2
411
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б.
Влияние имплантации ионов меди на оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных пленок
419
Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П.
Особенности фотолюминесценции в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода
426
Низкоразмерные системы
Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б.
Энергетический спектр и магнитооптические свойства D
(-)
-центра в квантовом сужении
433
Кадушкин В.И.
Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования
439
Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н.
Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях
446
Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А.
Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением с введением углерода
449
Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo
Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм
455
Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H.
Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
460
Кайбышев В.Х., Травников В.В.
Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe
464
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.
Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния
473
Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.
Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния
476
Физика полупроводниковых приборов
Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д.
Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления
482
Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г.
Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах
488
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Морозов М.Ю.
Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера с вертикальным резонатором и нелинейным преобразованием частоты
493
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф.
Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния
498
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук