Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2026
1
2
3
4
5
6
2025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2026, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2026, том 60, выпуск 6
Международная конференция ФизикА.СПб, 19-23 октября 2026 г., Санкт-Петербург
Агекян В.Ф., Лабзовская М.Э., Серов А.Ю., Философов Н.Г., Штром И.В.
Определение параметров центров безызлучательной рекомбинации в гетероструктурах CdTe/ZnTe по температурному тушению экситонной люминесценции
309
Брюшинин М.А., Куликов В.В., Петров А.А., Соколов И.А., Буримов Н.И., Шандаров С.М., Злобин А.О., Юдин Н.Н., Подзывалов С.Н.
Нестационарная фотоэдс в кристалле ZnGeP
2
314
Пащенко А.С.
Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi на подложке GaAs
319
Шарков М.Д., Бойко М.Е., Бойко А.М., Николаев В.И.
Исследования структуры и стехиометрии ряда твердых растворов селенида цинка-марганца ZnSe-MnSe
324
Солдатенков Ф.Ю., Малевский Д.А., Соболев М.М., Усикова А.А., Власов А.С., Караваева А.А.
Влияние встроенного квазиэлектрического поля в базовых AlGaAs-слоях импульсных высоковольтных p-i-n-диодов на динамику их обратного восстановления
328
Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Малевский Д.А., Минтаиров С.А., Покровский П.В., Салий Р.А., Калюжный Н.А.
Экспресс-способ получения электролюминесцентных характеристик p-i-n-структур с квантовыми ямами при возбуждении лазерным излучением
332
Климов А.А., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Кунков Р.Э., Лухмырина Т.С., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Усикова А.А.
Люминесценция p-n-гетероструктур на основе InAs, InAsSb и InAsSbP
336
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2026
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук