Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение параметров центров безызлучательной рекомбинации в гетероструктурах CdTe/ZnTe по температурному тушению экситонной люминесценции

Санкт-Петербургский государственный университет, 116524353

Агекян В.Ф.¹, Лабзовская М.Э.¹, Серов А.Ю.

¹, Философов Н.Г.

¹, Штром И.В.

^1,2

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

²Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: v.agekyan@spbu.ru, m.labzovskaia@spbu.ru, a.serov@spbu.ru, n.filosofov@spbu.ru, i.shtrom@spbu.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.

В окончательной редакции: 25 июня 2026 г.

Принята к печати: 8 июля 2026 г.

Выставление онлайн: 9 октября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Исследована температурная зависимость интенсивности люминесценции экситонов в гетероструктурах CdTe/ZnTe с планарными слоями квантовых точек CdTe в условиях надбарьерного и подбарьерного возбуждения. Эту зависимость удается моделировать на основе безызлучательной рекомбинации экситонов на центрах двух типов. Анализ спектров возбуждения люминесценции показывает, что с ростом температуры уменьшается вклад носителей заряда в перенос возбуждения из барьеров в слои CdTe по сравнению со вкладом экситонов. Ключевые слова: гетероструктуры A^IIB^VI, квантовые точки CdTe, люминесценция, экситон. DOI: 10.21883/0000000000

N.Z. Morales, D.S. Ruhl, E. List-Kratochvil, S. Blumstengel. Phys. Status Solidi A, 221, 2300186 (2024). DOI: 10.1002/pssa.202300186
S.G. Motti, M. Kober-Czerny, M. Righetto, Ph. Holzhey, J. Smith, H. Kraus, H.J. Snaith, M.B. Johnston, L.M. Herz. Adv. Func. Mater., 33, 2300363 (2023). DOI: 10.1002/adfm.202300363
M. Yan, H. Wang, D. Wang, J. Lu, B. Li, Z. Ke, Y. Li. Micro and Nanostuctures, 217, 208777 (2026). DOI: 10.1016/j.micrna.2026.208777
M.T. Man, D.H. Nguyen, D.G. Heo, H.S. Lee. J. Luminesc., 293, 121847 (2026). DOI: 10.1016/j.jlumin.2026.121847
L. Besombes. Mater. Sci. Eng. B, 101, 55 (2003). DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00649-9
G. Karczewski, S. Mackowski, M. Kutrowski, T. Wojtowicz, J. Kossut. Appl. Phys. Lett., 74, 3011 (1999). DOI: 10.1063/1.123996
C. Vargas-Hernandez, O. de Melo, I. Hernandez-Calderon. Phys. Status Solidi B, 230, 331 (2002). DOI: 10.1002/1521-3951(200204)230::2<331:AID-PSSB331>3.0.C
A.M. Kapitonov, U. Woggon, D. Kayser, D. Hommel, T. Itoh. J. Luminesc., 112, 177 (2005). DOI: 10.1016/j.jlumin.2004.09.021
J.S. Kim, H.M. Kim, H.L. Park, J.C. Choi. Solid Stat. Commun., 137, 115 (2006). DOI: 10.1016/j.ssc.2005.11.018
T. Kryshtab, J.A. Andraca, L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, Ye.F. Venger, Yu.G. Sadofyev. Microelectron. J., 39, 418 (2007). DOI: 10.1016/j.mejo.2007.07.024
A. Alfaro-Martinez, I. Hernandez-Calderon. Microelectron. J., 39, 594 (2008). DOI: 10.1016/j.mejo.2007.07.116
T.N. Zavaritskaya, I.V. Kucherenko, N.N. Mel'nik, G. Karczewski, M.L. Skorikov. Phys. Solid State, 55, 2355 (2013). DOI: 10.1134/S1063783413110322
Л.В. Котова, Д.Д. Белова, R. Andre, H. Mariette, В.П. Кочерешко. ФТП, 57, 160 (2023). [L.V. Kotova, D.D. Belova, R. Andre, H. Mariette, V.P. Kochereshko. Semiconductors, 57, 161 (2023). DOI: 10.21883/SC.2023.03.56231.4803]
S.H. Jin, S.H. Kim, J.C. Choi, H.S. Lee. J. Nanosci. and Nanotechnol., 17, 4132 (2017)
K. Sawicki, F.K. Malinowski, K. Galkowski, T. Jakubczyk, P. Kossacki, W. Pacuski, J. Suffczinski. Appl. Phys. Lett., 106, 012101 (2015). DOI: 10.1063/1.4905306
V. Agekyan, G. Budkin, M. Chukeev, N. Filosofov, G. Karczewski, A. Serov, A. Reznitsky. J. Phys.: Conf. Ser., 1400, 055046 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1400/5/055046/
Y. Viale, P. Gilliot, O. Cr`egut, J.-P. Likforman, B. Honerlage, R. Levy, L. Besombes, L. Marshal, K. Kheng, H. Mariette. Mater. Sci. Eng. B, 101, 55 (2003)
A.N. Reznitsky, A.A. Klochikhin, M.V. Eremenko. Semiconductors, 48, 332 (2014)
В.Ф. Агекян, М.Э. Лабзовская, А.Ю. Серов, Н.Г. Философов, G. Karczewski. Опт. и спектр., 133, 772 (2025)
В.Ф. Агекян, С.Ю. Вербин, А.Ю. Серов, Н.Г. Философов, О.С. Комарова, И.В. Штром. Oпт. и спектр., 134, 300 (2026). DOI: 10.61011/OS.2026.03.62777.8796-25
M. Eremenko, G. Budkin, A. Reznitsky. JETP, 151, 870 (2017). DOI: 10.1134/S1063776117040100

Учредители

Издатель