Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нестационарная фотоэдс в кристалле ZnGeP2
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FFUG-2024-0024
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FEWM-2026-0010
Брюшинин М.А.
1, Куликов В.В.
1, Петров А.А.
1, Соколов И.А.
1, Буримов Н.И.
2, Шандаров С.М.
2, Злобин А.О.
2, Юдин Н.Н.
3,4, Подзывалов С.Н.
3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева Сибирского отделения РАН, Томск, Россия
2Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева Сибирского отделения РАН, Томск, Россия
Email: mb@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 18 июня 2026 г.
Принята к печати: 18 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 9 октября 2026 г.
Впервые исследован эффект нестационарной фотоэдс в фоторефрактивном широкозонном полупроводнике ZnGeP2 на длине волны λ=660 нм. Формирование зарядовых распределений и возникновение электрического тока в кристалле происходило без приложения внешнего поля, т. е. в диффузионном режиме. Из зависимостей сигнала от частоты фазовой модуляции света и пространственной частоты интерференционной картины определены фотоэлектрические параметры материала - тип, величина и время релаксации фотопроводимости, а также диффузионная длина носителей заряда. Ключевые слова: нестационарная фотоэдс, фотопроводимость. DOI: 10.21883/0000000000
- S. Stepanov. In: Semiconductors devices. Handbook of advanced electronic and photonic materials and devices, ed. by H.S. Nalwa (Burlington, Academic Press, 2001) v. 2, p. 205
- I.A. Sokolov, M.A. Bryushinin. Optically induced space-charge gratings in wide-bandgap semiconductors: techniques and applications (N.Y., Nova Science Publishers, Inc., 2017)
- М.А. Брюшинин, В.В. Куликов, И.А. Соколов, Е.Н. Савченков, Н.И. Буримов, С.М. Шандаров, А.Р. Ахматханов, М.А. Чувакова, В.Я. Шур. ФТТ, 65 (2), 207 (2023)
- M.A. Bryushinin, S.G. Lushnikov, I.A. Sokolov. Sci. Rep., 15, 25152 (2025)
- M.A. Bryushinin, S.G. Lushnikov, I.A. Sokolov. J. Appl. Phys., 138 (16), 163103 (2025)
- Ю.В. Рудь. ФТП, 28 (7), 1105 (1994)
- П.М. Караваев, В.М. Абусев, Г.А. Медведкин. Письма ЖТФ, 32 (11), 74 (2006)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- Г.А. Верозубова, А.И. Грибенюков, Ю.П. Миронов. Неорг. матер., 43 (10), 1164 (2007)
- V.S. Grigoreva, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud, A.A. Yakovenko. Phys. Status Solidi A, 17 (1), K69 (1973)
- K. Masumoto, S. Isomura, W. Goto. J. Phys. Chem. Solids, 27 (11-12), 1939 (1966)
- M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, I.A. Sokolov, R.V. Romashko, Y.N. Kulchin. Opt. Express, 28 (26), 39067 (2020)
