Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8
Корнилов Б.В.
Оптическая перезарядка примесных центров многозарядных акцепторов при комбинированном и монополярном фотовозбуждении носителей в полупроводниках
1329
Орлов А.О., Савченко А.К., Шкловский Б.И.
Эволюция флуктуационного потенциала при обеднении канала полевого GaAs-транзистора
1334
Орлов В.Б., Якимов А.В.
Анизотропные флуктуации подвижности носителей тока и 1/f-шум магнитосопротивления в полупроводниках
1341
Евгеньев С.В., Лапкина И.А., Озеров Ю.П., Уфимцев В.Б.
Исследование поведения примесей при ионной имплантации селеном GaAs
1347
Панин Г.Н., Якимов Е.Б.
Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te под воздействием электронного пучка
1351
Воеводин Е.И., Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Птицина Н.Г.
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
1356
Охонин С.А., Французов А.А.
Туннельная ионизация примесных атомов фосфора в кремнии при температуре 4.2 K
1362
Шаймеев С.С., Антонова И.В.
Механизм взаимодействия атомов золота с донорной примесью в кремнии
1367
Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гребенщикова Е.А., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Рогачев А.А., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П.
Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=2.5 мкм, T=300 K)
1373
Ващенко В.А., Кернер Б.С., Осипов В.В., Синкевич В.Ф.
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
1378
Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga)As
1382
Вирт И.С., Любченко А.В., Мозоль П.Е., Гнатюк В.А.
Особенности электрофизических и фотоэлектрических свойств монокристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te, подвергнутых облучению
1386
Яковенко А.Г., Шелонин Е.А.
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
1390
Артемьев В.А., Витовский Н.А., Михнович В.В.
Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках
1395
Волков В.В., Падалко А.Г., Белотелов С.В., Божко В.В., Лазарев В.Б.
Глубокие центры в монокристаллах и тонких слоях антимонида индия
1400
Лашкул А.В., Цисовски Ян, Арушанов Э.К., Князев А.Ф.
Влияние гидростатического давления на концентрацию и подвижность электронов в Cd
3-x
Zn
x
As
2
1406
Конников С.Г., Соловьев В.А., Уманский В.Е., Чистяков В.М.
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)
1411
Конников С.Г., Салата О.В., Соловьев В.А., Синицын М.А., Уманский В.Е., Винокуров Д.А.
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
1416
Кузьмин И.А., Машевский А.Г., Строганов Д.Р., Федорова О.М., Явич Б.С.
Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур
1420
Рагуотис Р.
Расчет отклика электронов на высокочастотное электрическое поле в n-Si
1426
Соболев В.В., Крамарь В.М., Козлова С.Г., Темчук Г.И.
Зоны и оптические спектры селенида висмута
1430
Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Осутин А.В.
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
1434
Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Кропотов Г.И., Халлер Ю.Э.
Магнитоспектроскопия комплекса D(H, O) в германии
1440
Гельфанд Р.Б., Мудрый А.В., Пушкарчук А.Л., Ульяшин А.Г.
Комплексообразование водорода с акцепторными и донорными примесями в кремнии
1448
Малютенко В.К., Тесленко Г.И.
Тепловое излучение прямо смещенного полупроводникового диода
1452
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г.
Расчет параметров маждолинного рассеяния на фононах в полупроводниковых кристаллах A
III
B
V
1458
Стариков Е.В., Шикторов П.Н.
Эффекты горячих дырок в одноосно деформированном p-Ge при E|| P||[111]
1462
Глазов В.М., Ким С.Г., Сулейменов Т.
Распространение звука в расплавах селена и теллура
1469
Мисюра И.В.
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P
0.78
Sn
0.22
Se<Mn>
1475
Бумялене С., Ласене Г., Пирагас К.
Выпрямление переменного тока и генерация четных гармоник однородными полупроводниками с антисимметричной монотонной ВАХ
1479
Абрамян Ю.А., Папазян К.З.
Полевые фототранзисторы с p-n-переходом на основе Pb
0.78
Sn
0.22
Te
1486
Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов А.В.
Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в p-Si<Ge>
1492
Байрамов Б.Х., Захаренков Л.Ф., Ильменков Г.В., Мастеров В.Ф., Топоров В.В.
О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP
1496
Джабер А.М., Качлишвили З.С.
Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводников в сильном электрическом поле
1500
Дорин В.А., Лаврентьев А.А., Савицкий О.Г.
Температурная инверсия флуктуации тока
1501
Омельяновская Н.М., Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Мордкович В.Н., Астахова Е.Ф.
Глубокие уровни в n-Si, вводимые при высокотемпературном газовом травлении
1503
Бродовой А.В., Лашкарев Г.В., Кучеренко И.В.
Электронная структура собственных дефектов кристаллической решетки PbSe и Pb
1-x
Sn
x
Se
1506
Васецкий В.М., Гайдар А.В., Порошин В.Н., Саркисян Э.С.
Фотопроводимость p-Ge при низких температурах, возбуждаемая излучением импульсного CO
2
-лазера
1508
Драпак С.И., Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Манассон В.А.
Особенности инжекции неосновных носителей заряда в анизотипной ПТДП структуре
1510
Некрасов В.Ю., Трухин В.Н., Ярошецкий И.Д.
Особенности рассеяния коротких световых импульсов на светоиндуцированных решетках в кремнии
1512
Захаренков Л.В., Касаткин В.А., Савельев В.И.
Влияние концентрации электронов на эффективность возбуждения люминесценции Yb
3+
в InP<Yb>
1515
Гермогенов В.И., Отман Я.И., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb
1-x
Bi
x
1517
Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С.
Параметры распределения дивакансий в нейтронно-облученном кремнии
1519
Вывенко О.Ф., Истратов А.А., Хлебов А.Г.
Метастабильность дефектов, связанных с дислокациями, в сульфиде кадмия
1521
Велиев З.А.
Коэффициент захвата дырок на плотных дислокационных рядах в полупроводниках при наличии квантующего магнитного поля
1524
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук