С использованием метода наведенного электронным пучком тока обнаружено изменение электрических свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd_xHg_1-xTe при воздействии низкоэнергетичных электронов. Уже при малых временах облучения в приповерхностном слое кристаллов как n-, так и p-типа проводимости возникает встроенное электрическое поле, эффективно разделяющее неравновесные носители заряда. Его появление объясняется увеличением концентрации акцепторных центров и образованием более широкозонного материала в области, прилегающей к месту воздействия. Обращается внимание на влияние дефектной структуры кристалла в наблюдаемых изменениях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.