Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 4
Гадияк Г.В.
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
385
Давидюк Г.Е., Манжара В.С., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Булатецкий В.В.
Влияние электронной и нейтронной радиации на спектры оранжевой люминесценции специально не легированных и легированных медью монокристаллов сульфида кадмия
390
Сабликов В.А., Поляков С.В., Рябушкин О.А.
Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетороструктуре с двумерным электронным газом
393
Акимов Б.А., Албул А.В., Гаськов А.М., Ильин В.Ю., Лабо М., Румянцева М.Н., Рябова Л.И.
Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок SnO
2
(Cu)
400
Колковский И.И., Лукьяница В.В.
Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода
405
Чарыков Н.А., Литвак А.М., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П.
Твердый раствор In
x
Ga
1-x
As
y
Sb
z
P
1-y-z
: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
410
Бровко С.В., Зайцев А.А., Иванов К.Г., Кондаков О.В.
Форма линии межзонного магнитооптического поглощения в висмуте
416
Данишевский А.М., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю.
Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках
420
Алиев Р.
Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых p
+
-n-n
+
-структурах
425
Чуприков Н.Л.
Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах
427
Минарский А.М., Родин П.Б.
О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p
+
-n-n
+
-структуре
432
Лебедев А.А.
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
437
Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова-=SUP=-*-=/SUP=- Т.Е.
Влияние неоднородностей кристаллов Bi
2
Te
3
на поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена
441
Георгиевский А.М., Шик А.Я., Соловьев В.А., Рывкин Б.С., Стругов Н.А., Котельников Е.Ю., Токранов В.Е.
Исследование транспорта носителей в системе нелегированных квантовых ям при импульсном возбуждении
444
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Крещук А.М., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Смирнов И.Ю., Суслов А.В.
Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла
451
Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г.
Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах
459
Кадушкин В.И.
Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках
468
Проэкт Л.Б., Калитеевский М.А., Кантор В.Б., Пиотровский Д.А., Синицын М.А., Явич Б.С.
Моделирование массопереноса в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски
470
Аллен Т.Ю., Полянская Т.А., Копылов А.А., Шакмаев А.А.
Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs
0.94
Sb
0.06
легированного германием
475
Каган В.Д.
Распространение поверхностной акустической волны в слоистой системе, содержащей двумерный проводящий слой
478
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копьев П.С., Бимберг Д., Алфёров Ж.И.
Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs
483
Дутов А.Г., Комар В.А., Ширяев С.В., Смахтин Л.А.
Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа
488
Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П.
Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия
492
Липтуга А.И., Малютенко В.К., Пипа В.И., Леваш Л.В.
Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта
498
Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Применко Л.Н., Прокопенко И.В., Громашевский В.Л.
Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n
+
-GaAs (M=Pt, Cr, W)
503
Добровольский В.Н., Пальцев И.Е., Романов А.В.
Кратковременное включение микроплазм при напряжении ниже порогового
509
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук