"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Гадияк Г.В.1
1Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Предложена теоретическая модель для описания ускоренной диффузии примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной имплантции. Модель учитывает генерацию примеси, точечных дефектов, их диффузию, образование и распад пар дефект-примесь. Учтено образование дислокаций и рост (уменьшение) размеров их петель в ходе бомбардировки. Дислокации являются стоками для дефектов и примеси. Расчетные профили сравниваются с известными данными. Показана важная роль дислокаций, как центров захвата. Вблизи поверхности обнаружено осциллирующее поведение профиля примеси, что связано с одновременными имплантацией и разгонкой примеси.
  1. B.L. Crowder, J.M. Fairfield. J. Electrochem. Soc., 117, 363 (1970)
  2. J.W. Mayer, L. Eriksson, J.A. Davis. Ion Implantation in Semiconductors (N. Y.--London, Academic Press, 1970)
  3. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, A.P. Mazhirin. Nucl. Instrum. Meth. B, 43, 535 (1989)
  4. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nuc. 1. Instrum. Meth. B, 68, 323 (1992)
  5. Л.Н. Александров, Т.В. Бондарева, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко. ФТП, 25, 227 (1991)
  6. Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26, 1111 (1992)
  7. G.V. Gadiyak, D.E. Blaginin. COMPEL, 12, 407 (1993)
  8. P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
  9. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ЖТФ, 54, 1157 (1984)
  10. Hiroyuki Kinoshita, Dim-Lee Kwong. IEDM Tech. Dig., 165, (1992)
  11. D. Mathiot, J.C. Pfister. J. Appl. Phys., 55, 3518 (1984)
  12. W. Wijarakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
  13. H.U. Jager, T. Feudel, S. Ulbricht. Phys. St. Sol. (a), 116, 571 (1989)
  14. B.J. Masters, E.F. Gorvey. J. Apll. Phys., 49, 2717 (1978)
  15. R.B. Fair. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 35, Energy Beam-Solid Interactions and Transient Thermal Processing, ed. by D.K. Biegelsen, G.A. Rozgonyi, C.V. Shank (N.Y., 1985)
  16. V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth, 59, 7624 (1982)
  17. C.S. Nichols, C.C. Van de Walle, G. Pantelides. Phys. Rev. B, 40, 5484 (1989)
  18. И.Е. Тысченко. Автореф. канд. дис. (Ин-т физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, 1992)
  19. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердных телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
  20. A.L. Alexandrov, M.S. Obrecht, G.V. Gadiyak. Sol. St. Electron 35, 1549 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.