"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Гадияк Г.В.1
1Институт вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 21 марта 1997 г.

Предложена теоретическая модель для описания ускоренной диффузии примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной имплантции. Модель учитывает генерацию примеси, точечных дефектов, их диффузию, образование и распад пар дефект--примесь. Учтено образование дислокаций и рост (уменьшение) размеров их петель в ходе бомбардировки. Дислокации являются стоками для дефектов и примеси. Расчетные профили сравниваются с известными данными. Показана важная роль дислокаций, как центров захвата. Вблизи поверхности обнаружено осциллирующее поведение профиля примеси, что связано с одновременными имплантацией и разгонкой примеси.
  • B.L. Crowder, J.M. Fairfield. J. Electrochem. Soc., 117, 363 (1970)
  • J.W. Mayer, L. Eriksson, J.A. Davis. Ion Implantation in Semiconductors (N. Y.--London, Academic Press, 1970)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, A.P. Mazhirin. Nucl. Instrum. Meth. B, 43, 535 (1989)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nuc. 1. Instrum. Meth. B, 68, 323 (1992)
  • Л.Н. Александров, Т.В. Бондарева, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко. ФТП, 25, 227 (1991)
  • Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26, 1111 (1992)
  • G.V. Gadiyak, D.E. Blaginin. COMPEL, 12, 407 (1993)
  • P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ЖТФ, 54, 1157 (1984)
  • Hiroyuki Kinoshita, Dim-Lee Kwong. IEDM Tech. Dig., 165, (1992)
  • D. Mathiot, J.C. Pfister. J. Appl. Phys., 55, 3518 (1984)
  • W. Wijarakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
  • H.U. Jager, T. Feudel, S. Ulbricht. Phys. St. Sol. (a), 116, 571 (1989)
  • B.J. Masters, E.F. Gorvey. J. Apll. Phys., 49, 2717 (1978)
  • R.B. Fair. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 35, Energy Beam-Solid Interactions and Transient Thermal Processing, ed. by D.K. Biegelsen, G.A. Rozgonyi, C.V. Shank (N.Y., 1985)
  • V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth, 59, 7624 (1982)
  • C.S. Nichols, C.C. Van de Walle, G. Pantelides. Phys. Rev. B, 40, 5484 (1989)
  • И.Е. Тысченко. Автореф. канд. дис. (Ин-т физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, 1992)
  • А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердных телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
  • A.L. Alexandrov, M.S. Obrecht, G.V. Gadiyak. Sol. St. Electron 35, 1549 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.