Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 6
Полыгалов Ю.И., Поплавной А.С., Тупицын В.Е.
Зонная структура и оптические свойства дифосфида цинка и кадмия в области края поглощения
961
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
Ангармонические свойства широкозонных полупроводников
968
Гусейнов Д.Т., Керимова Т.Г., Кадыроглы Зафар Л.
Эффекты, обусловленные отталкивающим барьером в соединении GdIn
2
S
4
974
Пешев В.В., Смородинов С.В.
W-дефект в n-InP
979
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/ p-InAs
985
Радованова Е.И.
Применение электрохимических окисных пленок в технологии полупроводникового карбида кремния
992
Лебедев А.А.
Применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования параметров p-n-структур на основе SiC
999
Соколовский Б.С.
Фотовольтаический эффект в тонких варизонных слоях
1006
Холоднов В.А.
К теории рекомбинации Холла--Шокли--Рида
1011
Васько Ф.Т., Стриха М.В., Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А.
Двулучепреломление теллурида кадмия при 77 K, индуцированное одноосным упругим напряжением
1026
Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаев Б., Каражанов С.Ж., Сапаров Д.В.
Вольт-амперная характеристика n-p-p-=sup=-+-=/sup=--структур на основе твердого раствора кремний--германий, компенсированного хромом
1036
Ежевский А.А., ван Гизберген С.И.К.Х.М., Аммерлаан К.А.И.
Аномальное возбуждение в спектре ЭПР иона Fe
3+
в GaAs
1039
Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н.
Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением CO
2
-лазера
1046
Холоднов В.А.
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
1051
Данишевский А.М., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю., Гук Е.Г., Иванов П.А., Мальцев А.А.
О возникновении кристаллитов beta-фазы в пористых слоях карбида кремния
1064
Жмерик В.Н., Иванов С.В., Максимов М.В., Кузнецов В.М., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Домрачев С.Н., Шмидт Н.М., Крестников И.Л., Копьев П.С.
Легирование ZnSe с помощью высокоэффективного источника активного азота в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
1071
Джотян А.П., Казарян Э.М., Чиркинян А.С.
Межзонное примесное поглощение света в тонких полупроводниковых проволоках типа A
III
B
V
1085
Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синис В.П., Чиркова Е.Г.
Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
1091
Компан М.Е., Шабанов И.Ю., Беклемышин В.И., Гонтарь В.М., Махонин И.И.
О первичной люминесценции пористого кремния
1095
Айдамиров М.А., Гаджиев Г.Г.
Термоэлектрические эффекты на границе раздела твердой и жидкой фаз системы As
2
(Se
1- x
Te
x
)
3
1104
Соболев М.М., Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Папенцев М.И.
Рекомбинационно-стимулированный отжиг в слоях GaAs и AlGaAs
1108
Владимирова М.Р., Кавокин А.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С.
Оптические спектры полупроводниковых микрорезонаторов с квантовыми проводами
1115
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Рещиков М.А., Седов В.Е.
Оптические и пьезоспектроскопические свойства и строение комплексов вакансия галлия--кремний в n-GaAs: сравнение с комплексами вакансия галлия--олово
1123
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
О деформационном потенциале широкозонных полупроводников
1137
Cheng T.S., Новиков С.В., Foxon C.T.
Эффекты нитридирования поверхности подложек LiGaO
2
в молекулярно--лучевой эпитаксии.
1140
Вейс А.Н.
Исследование коэффициента поглощения в теллуриде свинца, имплантированном высокими дозами аргона
1144
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук