"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
Холоднов В.А.1
1Государственный научный центр НПО ''Орион'', Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Представлены аналитические выражения для коэффициентов лавинного размножения носителей в p-n-структурах. Рассмотрены наиболее характерные ситуации: ступенчатый (резкий) и плавный (линейный) p-n-переходы и тонкая p+-n(p)-n+-структура (типа p-i-n). Выведены формулы для напряжения лавинного пробоя и показателя степени в соотношении Миллера для зависимости коэффициента размножения носителей от приложенного напряжения. На примере полупроводников Ge, Si, GaAs, GaP, и InSb показано, что полученные аналитические результаты находятся в хорошем количественном согласии с проведенными ранее численными расчетами и экспериментальными данными. Эти результаты позволяют быстро и с хорошей точностью оценивать коэффициенты размножения электронов и дырок при заданном приложенном напряжении.
  • \it Техника оптической связи. Фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988)
  • С.З. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • И.В. Грехов, Ю.Н, Сережкин. \it Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  • Н.Х. Арцис, В.А. Холоднов. Радио и электроника, 29, 151 (1984)
  • \it Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра, под ред. В.И. Стафеева (М., Радио и связь, 1984)
  • G.E. Stillman, C.M. Wolf. \it Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N.Y.--San-Francisco--London, Academic Press, 1977) v. 12, p. 291
  • В. Герлах. Тиристоры (М. Энергоатомиздат, 1985)
  • S.M. Sze, G. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 8, 11 (1966)
  • В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 20, 2078 (1987)
  • В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 14, 1349 (1988)
  • В.А. Холоднов. Письма ЖТФ, 14, 551 (1988)
  • A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, I.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 140, 9 (1987)
  • G.E. Stillman, L.W. Cook, N. Tabatanaie, G.E. Bulman, V.M. Robbins. IEEE Trans. Electron. Dev, ED-30, 364 (1983)
  • Y. Okuto, C.R. Growell. Sol. St. Electron., 18, 161 (1975)
  • M.H. Lee, C.M. Sze. Sol. St. Electron., 23, 1007 (1980)
  • T. Mikawa, S. Kagawa, T. Kaneda, Y. Toyama. Appl. Phys. Lett., 37, 387 (1980)
  • H. Kressel, G. Kursky. Int. J. Electron., 20, 535 (1966)
  • S.N. Shabde, C. Yeh. J. Appl. Phys., 41, 4743 (1970)
  • K.I. Nuttal, M.W. Nield. Int. J. Electron., 37, 295 (1974)
  • L.W. Cook, G.E. Buiman, G,E. Stilman. Appl. Phys. Lett., 40, 589 (1982)
  • S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)
  • R. Leguerre, J. Urgell. Sol. St. Electron., 19, 875 (1976)
  • S.V. Bogdanov, A.B. Kravchenko, A.F. Plotnicov, V.E. Shubin. Phys. St. Sol. (a), 93, 361 (1986)
  • Я.Б. Зельдович, А.Д. Мышкис. \it Элементы прикладной математики (М., Наука 1972)
  • Х. Кейси, М. Пашин. \it Лазеры на гетероструктурах (М. Мир, 1981) т. 2
  • В.А. Холоднов. Оптический журнал, N 12 (1995)
  • А.П. Шотов. ЖТФ, 28, 437 (1958)
  • В.А. Кузьмин, Н.Н. Крюкова, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов. 9, 735 (1975)
  • R.D. Baertsch. J. Appl. Phys., 38, 4267 (1967)
  • В.В. Гаврюшко, О.В. Косогов, В.Д. Лебедев. ФТП, 12, 2351 (1978)
  • A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, J.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 113, 125 (1982)
  • А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 17, 875 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.