Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2004, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 2
Обзоры
Лебедев А.А., Иванов А.М., Строкан Н.Б.
Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе О б з о р
129
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю.
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака
151
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Syvajarvi M., Yakimova R.
Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме
153
Лебедев М.В., Mayer Th., Jaegermann W.
Адсорбция сольватированных гидросульфид-ионов на поверхность GaAs(100): роль растворителя при модификации структуры поверхности
156
Электронные и оптические свойства полупроводников
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б.
Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn
2
S
4
и MnGa
2
S
4
164
Нифтиев Н.Н.
Электрические свойства монокристаллов MnIn
2
S
4
166
Боднарь И.В., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn
11
S
17
168
Шалдин Ю.В., Вархульска И., Иванов Ю.М.
Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием
172
Гридчин В.А., Любимский В.М.
Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния
179
Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е., Мюллер Е.
Примесные состояния олова в твердых растворах Bi
2
Te
3-x
Se
x
(x=0.06,0.12)
186
Немов С.А., Серегин П.П., Волков В.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В.
Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (Pb
1-x
Sn
x
)
1-z
In
z
Te
190
Парфенова И.И.
3d-примеси замещения в кубическом карбиде кремния
194
Егоров С.В., Забродский А.Г., Парфеньев Р.В.
О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл--изолятор в компенсированном Ge:Ga
197
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С.
Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)In
n
S
m
202
Низкоразмерные системы
Борисенко С.И.
Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al
x
Ga
1-x
As на фононах
207
Безъязычная Т.В., Зеленковский В.М., Рябцев Г.И., Соболев М.М.
Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия
213
Куликов В.Б., Аветисян Г.Х., Василевская Л.М., Залевский И.Д., Будкин И.В., Падалица А.А.
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения
218
Аверкиев Н.С., Жуков А.Е., Ивaнов Ю.Л., Петров П.В., Романов К.С., Тонких А.А., Устинов В.М., Цырлин Г.Э.
Энергетическая структура A
+
-центров в квантовых ямах
222
Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Казак-Казакевич А.З., Сазанов А.П., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И.
Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии
226
Марков С.А., Сейсян Р.П., Кособукин В.А.
Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах A
II
B
VI
с широкими квантовыми ямами
230
Физика полупроводниковых приборов
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н.
Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом
237
Василевский К.В., Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А.
Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне
242
Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А.
Нелинейная генерация дальнего инфракрасного излучения в двухчастотных полупроводниковых лазерах
244
Персоналии
Виталий Иванович Стафеев (к семидесятипятилетию со дня рождения )
249
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук