"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе О б з о р
Лебедев А.А.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию радиационной стойкости SiC и разработке детекторов ядерных излучений на его основе. Приведены данные по энергиям ионизации, сечениям захвата и возможной структуре центров, образующихся в SiC под воздействием облучения различными типами частиц. Рассмотрено влияние облучения на концентрацию носителей заряда и рекомбинационные процессы в карбиде кремния. Описание результатов разработки и исследования параметров детекторов проведено в двух аспектах. Во-первых, отражены специфические возможности SiC-детекторов в задачах ядерной физики и техники; приведены типичные примеры использования детекторов. Во-вторых, пояснена связь характеристик детекторов со свойствами исходного материала; описан ряд методов определения конкретных параметров SiC исходя из характеристик детекторов. Сделано заключение, что прогресс последних лет в получении совершенных пленок SiC (разностная концентрация примесей (3·1014-3·1015) см-3, плотность полых каналов --- micropipe-дефектов до 1 см-2) позволил SiC войти в категорию материалов, пригодных для создания современных детекторов. Технологические возможности SiC отнюдь не исчерпаны и, несомненно, уже в ближайшее время будут реализованы различные (в том числе, многоэлементные) конфигурации детекторов.
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  • Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  • J.W. Corbett, J.C. Bourgein. In: Point Defect in Solids (N.Y.--London, Plenium Press, 1975) v. 2, p. 1
  • B. Hudson, B.E. Sheldon. J. Microsc., 97, 113 (1973)
  • I.A. Honstvet, R.E. Smallman, P.M. Marquis. Phil. Mag., A41, 201 (1980)
  • H. Inui, H. Mori, H. Fujita. Phil. Mag., B61, 107 (1990)
  • W. Jiang, S. Theunthasan, W.J. Weber, R. Grotzschel. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 161--163, 501 (2000)
  • I. Lazanu, S. Lazanu. Preprint (Elsevier Preprint, 21 April 2002)
  • V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 13, 189 (1987)
  • А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
  • H. Zhang, G. Pensl, P. Glasow, S. Leibenzeder. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Meeting (1989) p. 714
  • J.P. Doyle, M.O. Adoelfotoh, B.G. Svensson, A. Schoner, N. Nordel. Diamond Relat. Mater., 6, 1388 (1997)
  • C. Hemmingson, N.T. Son, O. Kordina, E. Janzen, J.L. Lindstrom, S. Savarge, N. Nordel. Mater. Sci. Eng. B, 46, 336 (1997)
  • C. Hemmingson, N.T. Son, O. Kordina, E. Janzen, J.P. Bergman, J.L. Lindstrom, S. Savarge, N. Nordel. J. Appl. Phys., 81, 6155 (1997)
  • T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
  • M. Gong, S. Fung, C.D. Beiling, Zhipu You. J. Appl. Phys., 85, 7604 (1999)
  • В.С. Балландович. ФТП, 33, 1188 (1999)
  • I. Pintilie, L. Pintilie, K. Irmscher, B. Thomas. Appl. Phys. Lett., 81, 4841 (2002)
  • M. Gong, S. Fung, C.D. Beiling, Zhipu You. J. Appl. Phys., 85, 7120 (1999)
  • H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, L. Henry, M.F. Barthe. Phys. Rev. B, 62, 10 841 (2000)
  • N.T. Son, B. Magnusson, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 81, 3945 (2002)
  • В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)
  • И.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косагонов, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1320 (1975)
  • А.И. Вейнгер, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18, 1932 (1984)
  • Р.Н. Кютт, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 1500 (1988)
  • А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрошин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Щукин. ФТП, 23, 790 (1989)
  • Р.Н. Кютт, А.А. Лепнева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 2606 (1988)
  • V.V. Evstropov, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 589 (1994)
  • O. Okada, T. Kimura, T. Nakata, M. Watanbe, S. Kanazava, I. Kanno, K. Kamitani, K. Atobe, M.N. Nakagawa. Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 469 (1996)
  • H. Matsunami, T. Kimoto. Mater. Sci. Eng., R20, 125 (1997)
  • V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
  • S. Kanazawa, M. Okada, J. Ishil, T. Nozaki, K. Shin, S. Ishihara, I. Kimura. Mater. Sci. Forum, 389--393, 517 (2002)
  • G.C. Rubicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  • И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, П.Г. Баранов. ФТТ, 35, 1409 (2001)
  • A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 973 (2000)
  • A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng., 61--62, 441 (1999)
  • A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Soloviev. Mater. Sci. Eng., 61--62, 450 (1999)
  • А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский, Н.С. Савкина. ФТП, 34, 1058 (2000)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Рястегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
  • A. Kawasuso, F. Redmann, R. Krause-Rehberg, P. Sperr, Th. Frank, M. Weidner, G. Pensl, H. Itoh. J. Appl. Phys., 90, 3377 (2001)
  • A. Kawasuso, F. Redmann, R. Krause-Rehberg, P. Sperr, Th. Frank, M. Weidner, G. Pensl, H. Itoh. Mater. Sci. Forum, 353--356, 537 (2001)
  • M.F. Barthe, P. Desgardin, L. Henry, C. Corbel, D.T. Britton, G. Kogel, S. Sperr, W. Trifftshauser, P. Vicente, L. di Ciocco. Mater. Sci. Forum, 389--393, 493 (2002)
  • А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, Р. Якимова, М. Суваярви, Е. Янсен. ФТП, 34, 1183 (2000)
  • A. Kawasuso, F. Redmann, R. Krause-Rehberg, P. Sperr, Th. Frank, M. Weidner, G. Pensl, H. Itoh. J. Appl. Phys., 70, 3950 (2001)
  • W.C. Mitchel, R. Perrin, J. Goldstein, A. Saxler, M. Roth, S.R. Smith, J.S. Solomon, A.O. Euwarage. J. Appl. Phys., 86, 5040 (1999)
  • А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)
  • D.T. Britton, M.F. Barthe, C. Corbel, A. Hempel, L. Henry, P. Desgardin, W. Bauer-Kugelman, G. Kogel, S. Sperr, W. Trifftshauser. Appl. Phys. Lett., 78, 1234 (2001)
  • H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battisting. Phys. Rev., 62, 10 126 (2000)
  • D.V. Davydov, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. Physica B, 308--310, 641 (2001)
  • В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1602 (1966)
  • В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  • Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
  • L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  • В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 3393 (1966)
  • В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
  • В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.И. Ионов, М.Г. Косагонов, Н.К. Прокофьев, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушкин. ФТП, 15, 2430 (1981)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  • Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, 1840 (1983)
  • Ю.А. Водаков, А.И. Гирка, А.О. Константинов, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, С.В. Свирда, В.В. Семенов, В.И. Соколов, А.В. Шишкин. ФТП, 26, 1857 (1992)
  • W.J. Choyke. In: NATO ASI Ser. Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides, ed. by R. Freer (Manchester, 1989)
  • А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 729 (1994)
  • М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  • А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук. ФТП, 36, 1352 (2002)
  • B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linarson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O.A. Persson, L. Uultman, L. Storasta, F.U.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2001)
  • A. Hallen, A. Henry, P. Pellegrino, B.G. Svensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng., 61--62, 378 (1999)
  • R.K. Nadella, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
  • V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
  • J. McGarrity, F. McLean, M. Dealancey, J. Palmour, C. Carter, J. Edmond, R. Oakley. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1974 (1992)
  • H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura, S. Yoshida. Springer Proc. Phys., 56, 143 (1992)
  • В.С. Вавилов, Н.Ю. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.Б. Спицын. ФТП, 6, 1041 (1972)
  • Ю.В. Булгаков, Т.И. Коломенская. ФТП, 1, 422 (1967)
  • В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
  • D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 221 (2000)
  • А.О. Константинов, В.Н. Кузьмин, Л.С. Лебедев, Д.П. Литвин, А.Г. Остроумов, В.И. Санкин. ЖТФ, 54, 1622 (1984)
  • А.О. Константинов, Н.С. Константинова, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, П.А. Иванов. ФТП, 28, 342 (1994)
  • П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. ФТП, 31, 1404 (1997)
  • N. Atchtziger, J. Grillenberger, W. Witthuhn, M.K. Linnarsson, J. Janson, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 73, 945 (1998)
  • H. Inui, H. Mori, H. Fujita. Phil. Mag. B, 1, 107 (1990)
  • А.А. Лепнева, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, А.С. Трегубова. ФТТ, 33, 2217 (1991)
  • P. Musumeci, L. Calcagno, M.G. Grimaldi, G. Foti. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 116, 327 (1996)
  • A. Galeskas, J. Linnros, P. Pirous. Appl. Phys. Lett., 81, 883 (2002)
  • K. Kojima, T. Ohno, T. Fujimoto, M. Katsuno, N. Ohtani, J. Nishio, T. Suzuki, T. Tanaka, Y. Ishida, T. Takahashi, K. Arai. Appl. Phys. Lett., 81, 2974 (2002)
  • T.A. Kuhr, J.Q. Liu, H.J. Chung, M. Skowronski, F. Szmulowicz. J. Appl. Phys., 92, 5863 (2002)
  • R. Okojie, M. Xhang, P. Pirouz, S. Tumakha, G. Jessen. Appl. Phys. Lett., 79, 3056 (2001)
  • L.J. Brillson, S. Tumakha, G.H. Jessen, R.S. Okojie, M. Zhang, P. Pirouz. Appl. Phys. Lett., 81, 2785 (2002)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  • E. Oliviero, M.L. David, M.F. Beaufort, J. Nomgaudyte, L. Pranevicius, A. Declemy, J.F. Barbot. J. Appl. Phys., 91, 1179 (2002)
  • В.А. Козлов, В.В. Козловский, А.Н. Титков, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский. ФТП, 36, 1310 (2002)
  • A. Fissel, B. Schroter, U. Kaiser, W. Richter. Appl. Phys. Lett., 77, 2418 (2000)
  • A.A. Lebedev, A.M. Strelchuk, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, A.N. Kuznetsov, V.A. Solov'ev, N.K. Poletaev. Appl. Sci. Surf., 184, 419 (2001)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  • R.V. Babcock, S.L. Ruby, F.D. Schupp, K.H. Sun. Miniature Neutron Detectors. Westinghouse Elec. Corp. Materials Engineering Report No.5711-6600-A (November 1957)
  • R.V. Babcock, H.C. Chang. International Atomic Energy Agency Symposium Proceedings (1963) v. 1, p. 613
  • R.V. Babcock. Radiation Damage in SiC. Westinghouse Research and Development Center Document No.64-8C2-432-P1 (October 1964)
  • В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 6 (5), 957 (1972)
  • В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. Атомная энергия, 34 (2), 122 (1973)
  • В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, В.В. Большаков. Измер. техника, N 6, 67 (1973)
  • А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34 (2), 249 (2000)
  • A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1447 (2000)
  • F. Nava, P. Vanni, C. Lanzieri, C. Canali. Nucl. Instr. Meth. A, 437, 354 (1999)
  • Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, М.Е. Бойко, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.А. Лебедев, Р. Якимова. ФТП, 37 (1), 65 (2003)
  • Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
  • M. Rogalla, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Phys. B, 78, 516 (1999)
  • R.A. Logan, A.G. Chynoweth. J. Appl. Phys., 33, 1649 (1962)
  • В.В. Макаров. ФТП, 9, 1098 (1975)
  • Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24, 44 (1998)
  • В.К. Еремин, С.Г. Даненгирш, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 556 (1974)
  • F. Nava, P. Vanni, G. Verzellesi, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Polenta, R. Nipoti, C. Donolato. Mater. Sci. Forum, 353--356, 757 (2001)
  • DESSIS-6.0 Reference Manual, ISE Integrated Systems Engineering AG. (Zurich, Switzerland)
  • T. Kimoto, S. Nakazawa, K. Fujihira, T. Hirao, S. Nakamura, Y. Chen, K. Hashimoto, H. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 389--393, 165 (2002)
  • E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, V. Kossov, R. Yafaev, A. Kovarski, A. Schukarev, S. Obyden, G. Saparin, P. Ivannikov, A. Hallen, A. Konstantinov. Appl. Surf. Sci., 184, 323 (2001)
  • Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Косов, Р.Р. Яфаев, А. Хален, А.О. Константинов. ФТП, 36, 750 (2002)
  • G. Bertuccio, R. Casigaghi, F. Nava. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 232 (2001)
  • G. Bertuccio, R. Casigaghi. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 175 (2003)
  • GREE Research, Inc., Durham, NC 27 713, USA
  • M. Bruzzi, F. Nava, S. Russo, S. Sciortino, P. Vanni. Diamond. Relat. Mater., 10, 657 (2001)
  • P. Bergonzo, D. Tromson, C. Mer, B. Guizard, F. Foulon, A. Brambilla. Phys. St. Sol. (a). 185 (1), 167 (2001)
  • M. Rogalla, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Phys. B, 78, 516 (1999)
  • R.R. Ferber, G.N. Hamilton. Silicon Carbide High Temperature Neutron Detectors for Reactor Instrumentation. Westinghouse Research and Development Center Document No.65-1C2-RDFCT-P3 (June 1965)
  • A.R. Dulloo, F.H. Ruddy, J.G. Seidel. Radiation Response Testing of SiC Semiconductor Neutron Detectors for Monitoring Thermal Neutron Flux. Westinghouse Science and Technology Report No.97-9TK1-NUSIC-R1 (1997)
  • F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel, S. Seshadri, L.B. Rowland. IEEE Trans. Nucl. Sci., 45 (3), 536 (1998)
  • A.R. Dulloo, F.H. Ruddy, J.G. Seidel, C. Davison, T. Flinchbaugh, T. Daubenspeck. IEEE Trans. Nucl. Sci., 46 (3), 275 (1999)
  • G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instr. Meth., A426, 1 (1999)
  • E. Verbitskaya, M. Abreu, V. Bartsch at al., IEEE Trans. Nucl. Sci., 49 (1), 258 (2002)
  • А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, Ю.Т. Миронов, Г.А. Рябов, Е.М. Иванов. ФТП, 35 (4), 495 (2001)
  • A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, Yu.T. Mironov, G.A. Ryabov, E.M. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 184, 431 (2001)
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng., B77, 50 (2000)
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 1 (2000)
  • В.В. Емцев, Т.Б. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  • G. Davies. Physica B, 273--274, 15 (1999)
  • V. Eremin, N. Strokan, E. Verbitskaya, Z. Li. Nucl. Instrum. Meth., A372, 388 (1996)
  • Н.Б. Строкан, А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
  • A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, V.V. Kozlovskii. Mater. Sci. Forum, 353--356, 763 (2001)
  • С.М. Рывкин. ЖТФ, 26, 2667 (1956)
  • Н.А. Витовский, П.И. Малеев, С.М. Рывкин. ЖТФ, 28, 460 (1958)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  • A. Rose. Concepts in Photoconductivity and Applied Problems (N.Y.--London, 1963)
  • A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
  • N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, A.A. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 184, 455 (2001)
  • А.А. Гринберг. ФТТ, 1, 31 (1959)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 1981).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.