Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Модель легирования магнием верифицируется для молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия с использованием аммиака в качестве источника реактивной компоненты V группы. Хорошее количественное согласие с экспериментом позволяет на основе данной модели сравнить эффективность p-легирования для молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота и аммиака. В последнем случае удается получить большие концентрации Mg в кристалле за счет повышенного V/III отношения в падающих потоках.
- А.А. Воробьев, В.В. Кораблев, С.Ю. Карпов. ФТП, 37, 866 (2003)
- S. Guha, N.A. Bojarzuk, F. Cardone. Appl. Phys. Lett., 71, 1685 (1997)
- S.Yu.Karpov, R.A. Talalev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
- M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, K.J. Ebeling. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 26 (1997)
- M. Mesrine, N. Grandjean, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 72, 350 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
