"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака
Воробьев А.А.1, Кораблев В.В.1, Карпов С.Ю.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Софт-Импакт, а/я 83, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Модель легирования магнием верифицируется для молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия с использованием аммиака в качестве источника реактивной компоненты V группы. Хорошее количественное согласие с экспериментом позволяет на основе данной модели сравнить эффективность p-легирования для молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота и аммиака. В последнем случае удается получить большие концентрации Mg в кристалле за счет повышенного V/III отношения в падающих потоках.
  • А.А. Воробьев, В.В. Кораблев, С.Ю. Карпов. ФТП, 37, 866 (2003)
  • S. Guha, N.A. Bojarzuk, F. Cardone. Appl. Phys. Lett., 71, 1685 (1997)
  • S.Yu.Karpov, R.A. Talalev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
  • M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, K.J. Ebeling. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 26 (1997)
  • M. Mesrine, N. Grandjean, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 72, 350 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.