Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме

Давыдов С.Ю.¹, Лебедев А.А.¹, Савкина Н.С.¹, Syvajarvi M.², Yakimova R.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция

Поступила в редакцию: 29 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках простой модели, основанной на уравнении Гертца-Кнудсена, с учетом зависящего от температуры коэффициента прилипания, рассчитана зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме от температуры. Результаты расчета хорошо совпадают с экспериментальными данными.

Yu.M. Tairov. In: Electric refractory materials, ed. by Y.K. Kumashiru, M. Dekker (N. Y., 2000) p. 409
А.И. Жмакин, Ю.Н. Макаров, Д.Х. Офенгейм, М.С. Рамм. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики (ФТИ РАН, СПб., 2001) с. 208
M. Selder, L. Kadinsky, F. Durst. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики (ФТИ РАН, СПб., 2001) с. 235
K.F. Jensen. Handbook of crystal growth (Elsevier, 1994) v. 3
T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 69, 1 (1984)
D.D. Avrov, A.S. Baskin, S.I. Dorozhkin, V.P. Rastegaev, Yu.M. Tairov. J. Cryst. Growth, 198/199, 1011 (1999)
Q.-S. Chen, H. Zhang, V. Prasad, C.M. Balkas, N.K. Yushin, S. Wang. J. Cryst. Growth, 224, 101 (2001)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1, с. 281
J.A. Bootsma, H.J. Gassen. J. Cryst. Growth, 10, 223 (1971)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M. L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 50 (2000)
M. Syvajarvi, R. Yakimova, M. Tuominen, A. Kakanakova-Georgieva, M.F. MacMillan, A. Henry, Q. Wahab, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 197, 155 (1999)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
S.K. Lilov, I.Y. Yanchev. Crystal Res. Technol., 28, 495 (1993)
A. Harkmans, E.G. Overbosh, D.R. Olander, J. Los. Surf. Sci., 54, 154 (1976)
F.O. Goodman. Surf. Sci., 92, 185 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель