"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1, Syvajarvi M.2, Yakimova R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 29 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В рамках простой модели, основанной на уравнении Гертца--Кнудсена, с учетом зависящего от температуры коэффициента прилипания, рассчитана зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме от температуры. Результаты расчета хорошо совпадают с экспериментальными данными.
  • Yu.M. Tairov. In: Electric refractory materials, ed. by Y.K. Kumashiru, M. Dekker (N. Y., 2000) p. 409
  • А.И. Жмакин, Ю.Н. Макаров, Д.Х. Офенгейм, М.С. Рамм. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики (ФТИ РАН, СПб., 2001) с. 208
  • M. Selder, L. Kadinsky, F. Durst. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики (ФТИ РАН, СПб., 2001) с. 235
  • K.F. Jensen. Handbook of crystal growth (Elsevier, 1994) v. 3
  • T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 69, 1 (1984)
  • D.D. Avrov, A.S. Baskin, S.I. Dorozhkin, V.P. Rastegaev, Yu.M. Tairov. J. Cryst. Growth, 198/199, 1011 (1999)
  • Q.-S. Chen, H. Zhang, V. Prasad, C.M. Balkas, N.K. Yushin, S. Wang. J. Cryst. Growth, 224, 101 (2001)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. 1, с. 281
  • J.A. Bootsma, H.J. Gassen. J. Cryst. Growth, 10, 223 (1971)
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M. L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 50 (2000)
  • M. Syvajarvi, R. Yakimova, M. Tuominen, A. Kakanakova-Georgieva, M.F. MacMillan, A. Henry, Q. Wahab, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 197, 155 (1999)
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
  • S.K. Lilov, I.Y. Yanchev. Crystal Res. Technol., 28, 495 (1993)
  • A. Harkmans, E.G. Overbosh, D.R. Olander, J. Los. Surf. Sci., 54, 154 (1976)
  • F.O. Goodman. Surf. Sci., 92, 185 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.