Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
Алтухов И.В.1, Каган М.С.1, Королев К.А.1, Синис В.П.1, Чиркова Е.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Приведены результаты спектральных исследований индуцированного дальнего инфракрасного излучения из одноосно деформированного p-Ge. Показано, что это излучение вызвано индуцированными излучательными переходами дырок между расщепленными давлением основными состояниями мелких акцепторов.
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 101, 756 (1992); ЖЭТФ, 103, 1829 (1993)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Prog. Phys., 44, 1297 (1981)
- А.А. Андронов, И.В. Зверев, В.А. Козлов, Ю.Н. Ноздрин, С.А. Павлов, В.Н. Шастин. Письма ЖЭТФ, 40, 804 (1984)
- А.В. Муравьев, С.Г. Павлов, В.Н. Шастин. Письма ЖЭТФ, 52, 959 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
