Исследована фотолюминесценция комплексов V _Ga Si_Ga в n-GaAs при низких температурах. Измерены спектры возбуждения, поляризация люминесценции при возбуждении поляризованным светом из примесной полосы поглощения и влияние одноосного давления на люминесценцию, возбуждаемую светом из собственной полосы поглощения GaAs. Обнаружены двухступенчатое выстраивание дисторсий комплексов при давлении вдоль оси [111] или [110] и связанные с ними изменения в скорости сдвига полосы люминесценции с давлением. Строение и свойства комплексов этого типа качественно объясняются в модели, предполагающей, что в излучающем состоянии влияние донора на вакансионные орбитали мало по сравнению с взаимодействием локализованной на этих орбиталях дырки с неполносимметричными F₂-колебаниями квазимолекулы V _Ga4As. Анализ данных показывает, что различие в пьезоспектроскопических свойствах V _Ga Si_Ga и V _Ga Sn_Ga обусловлено некоторым увеличением расщепления донором вакансионных t₂-состояний в V _Ga Si_Ga по сравнению с V _Ga Sn_Ga. Различия в пьезоспектроскопическом поведении этих комплексов, с одной стороны, и комплекса V _Ga Te_As - с другой, определяются в основном разницей в положении доноров, а не их химической природой непосредственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.