Вышедшие номера
Оптические и пьезоспектроскопические свойства и строение комплексов вакансия галлия--кремний в n-GaAs: сравнение с комплексами вакансия галлия--олово
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследована фотолюминесценция комплексов V Ga SiGa в n-GaAs при низких температурах. Измерены спектры возбуждения, поляризация люминесценции при возбуждении поляризованным светом из примесной полосы поглощения и влияние одноосного давления на люминесценцию, возбуждаемую светом из собственной полосы поглощения GaAs. Обнаружены двухступенчатое выстраивание дисторсий комплексов при давлении вдоль оси [111] или [110] и связанные с ними изменения в скорости сдвига полосы люминесценции с давлением. Строение и свойства комплексов этого типа качественно объясняются в модели, предполагающей, что в излучающем состоянии влияние донора на вакансионные орбитали мало по сравнению с взаимодействием локализованной на этих орбиталях дырки с неполносимметричными F2-колебаниями квазимолекулы V Ga4As. Анализ данных показывает, что различие в пьезоспектроскопических свойствах V Ga SiGa и V Ga SnGa обусловлено некоторым увеличением расщепления донором вакансионных t2-состояний в V Ga SiGa по сравнению с V Ga SnGa. Различия в пьезоспектроскопическом поведении этих комплексов, с одной стороны, и комплекса V Ga TeAs - с другой, определяются в основном разницей в положении доноров, а не их химической природой непосредственно.