Сообщается об исследовании спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=2.5 мкм, T=300 K). Исследовались спектры излучения, внешний квантовый выход и постоянная времени спада излучения изопериодных структур n-GaSb-n-Ga_0.75In_0.25As _0.22Sb_0.78-p-GaAlSbAs с различной толщиной узкозонной области в интервале значений 0.4-5 мкм при температурах 77 и 300 K. Обнаружено, что при изменении толщины узкозонной области от 5 до 0.4 мкм энергия максимума полосы излучения сдвигается в длинноволновую область на 20-30 мэВ (при 77 и 300 K), постоянная времени слада уменьшается почти на порядок от 10^-8 до 10^-9 с, а внешний квантовый выход излучения увеличивается почти в 5 раз. В результате анализа данных по электролюминесцентным и фотоэлектрическим свойствам делается вывод о том, что излучательная рекомбинация в диодах с толстой узкозонной областью является преимущественно квазимежзонной, а в диодах с тонкой узкозонной областью доминирующую роль играет интерфейсная люминесценция через состояния на n-n-границе. Обсуждается модель излучательных переходов через границу раздела гетероперехода II типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.