Получены квантово-размерные структуры (КРС), состоящие, из слоев GaAs толщиной от 10 до 300 Angstrem, разделенных барьерными слоями Al_0.3Ga_0.7As. Структуры выращивались методом газовой эпитаксии в системе Ga(CH₃)₃-Al(CH₃)₃-AsH₃-Н₂ в реакторе горизонтального типа при давлении 76 Тор (метод LP MOСVD). На основании исследований энергетического положения и формы экситонных полос фотолюминесценции (77 и 2 K) установлено: а) профиль изменения концентрации алюминия в структурах близок к прямоугольному; б) флуктуации ширины квантово-размерных слоев не превышают двух монослоев; в) указанные флуктуации обусловлены монослойными островковыми неоднородностями на гетерограницах, продольные размеры которых меняются в широких пределах. Полученные результаты свидетельствуют о высоком совершенстве КРС, полученных данным методом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.