Исследованы электрофизические свойства тонких гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs, выращенных MOС гидридным методом. Впервые экспериментально продемонстрированы возможности нового метода одновременного определения скорости интерфейсной рекомбинации и диффузионной длины (L_d) неосновных носителей заряда в материале активной облаете двойной гетероструктуры. Показано, что в преднамеренно не легированных слоях n-GaAs диффузионная длина в 2-3 раза превышает L_d в легированных кремнием пленках GaAs, в которых в широком диапазоне концентраций примеси доминирует безызлучательный канал рекомбинации. Исследовано влияние технологических режимов выращивания на величину L_d.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.