Полупроводниковый диод из широкозонного (не обязательно прямозонного) полупроводника может служить достаточно мощным (десятки мВт/см2) источником ИК излучения положительного и отрицательного контрастов, быстродействие которого определяется временем жизни носителей заряда в базе, а мощность и спектр излучения близки к параметрам черного тела. Предпочтительные условия работы - высокие температуры, необходимые условия - различие температур диода и окружающей среды, а также оптическая прозрачность базы в отсутствие смещения. В эксперименте исследованы параметры такого излучения из базы прямо смещенного Ge p-n-перехода при температурах, близких к T=300 K, в спектральном диапазоне 2-25 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.