Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 6 » Статья стр. 319
<<<>>>
Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi на подложке GaAs
Минобрнауки России, государственное задание, № 125011200148-9
Пащенко А.С. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: semicondlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2026 г.
Принята к печати: 23 октября 2026 г.
Выставление онлайн: 9 октября 2026 г.
PDF версия
Методом комбинационного рассеяния света исследована локальная структура GaInAsBi-пленок на GaAs(100). Анализ спектров показал, что структура материала сформирована несколькими механизмами. Обнаружение LO-моды GaInAs подтверждает успешное включение In в III подрешетку. Внедрение Bi проявляется в двух формах: в узлах решетки и в виде кластеров. Критически важным результатом является появление GaAs-подобной TO-моды, которая, будучи активирована упорядочением типа CuPt, служит прямым спектральным доказательством локального нарушения симметрии. Эти результаты позволяют установить прямую связь между механизмами роста, локальным упорядочением и оптическими свойствами GaInAsBi. Ключевые слова: GaInAsBi, комбинационное рассеяние света, соединения III-V, структурное упорядочение, полупроводниковые твердые растворы. DOI: 10.21883/0000000000
  1. K. Alberi, J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, O.D. Dubon, S.P. Watkins, C.X. Wang, X. Liu, Y.-J. Cho, J. Furdyna. Phys. Rev. B, 75 (4), 045203 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.045203
  2. C.A. Broderick, M. Usman, E.P. O'Reilly. Theory of the Electronic Structure of Dilute Bismide Alloys: Tight-Binding and k-p models. In: Bismuth-Containing Compounds, ed. by H. Li, Z. Wang. Springer Series in Materials Science (N.Y., Springer, 2013) v. 186. DOI: 10.1007/978-1-4614-8121-8_3
  3. W. Walukiewicz, J.M.O. Zide. J. Appl. Phys., 127 (1), 010401 (2020). DOI: 10.1063/1.5142248
  4. K.K. Nagaraja, Y.A. Mityagin, M.P. Telenkov, I.P. Kazakov. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 42 (3), 239 (2017). DOI: 10.1080/10408436.2016.1186007
  5. T.J.F. Verstijnen, D. Tjeertes, A.D. Rice, K. Alberi, P.M. Koenraad. Phys. Rev. Mater., 8 (5), 054605 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.8.054605
  6. D.F. Reyes, F. Bastiman, C.J. Hunter, D.L. Sales, A.M. Sanchez, J.P. David, D. Gonzalez. Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 23 (2014). DOI: 10.1186/1556-276X-9-23
  7. J. Occena, T. Jen, H. Lu, B.A. Carter, T.S. Jimson, A.G. Norman, R.S. Goldman. Appl. Phys. Lett., 113 (21), 211602 (2018). DOI: 10.1063/1.5045606
  8. D.L. Sales, E. Guerrero, J.F. Rodrigo, P.L. Galindo, A. Yanez, M. Shafi, A. Khatab, R.H. Mari, M. Henini, S. Novikov, M.F. Chisholm, S.I. Molina. Appl. Phys. Lett., 98 (10), 101902 (2011). DOI: 10.1063/1.3562376
  9. B.A. Carter, V. Caro, L. Yue, C.R. Tait, J.M. Millunchick. J. Cryst. Growth, 548 (10), 125815 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125815
  10. G. Ciatto, M. Thomasset, F. Glas, X. Lu, T. Tiedje. Phys. Rev. B, 82 (20), 201304(R) (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.82.201304
  11. B.A. Philips, A.G. Norman, T.Y. Seong, S. Mahajan, G.R. Booker, M. Skowronski, J.P. Harbison, V.G. Keramidas. J. Cryst. Growth, 140 (3-4), 249 (1994). DOI: 10.1016/0022-0248(94)90297-6
  12. S.B. Zhang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 71 (5), 677 (1997). DOI: 10.1063/1.119827
  13. J. Puustinen, J. Hilska, M. Guina. J. Cryst. Growth, 511, 33 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.010
  14. P. Ludewig, Z.L. Bushell, L. Nattermann, N. Knaub, W. Stolz, K. Volz. J. Cryst. Growth, 396, 95 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.03.041
  15. E. Sterzer, N. Knaub, P. Ludewig, R. Straubinger, A. Beyer, K. Volz. J. Cryst. Growth, 408, 71 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.09.006
  16. A.S. Pashchenko, O.V. Devitsky, M.L. Lunina, E.M. Danilina, O.S. Pashchenko, B. Ber, V.I. Sakharov. Vacuum, 227 (2024). DOI: 10.1016/j.vacuum.2024.113372
  17. S. Martini, A.A. Quivy, M.J. da Silva, T.E. Lamas, E.C.F. da Silva, J.R. Leite, E. Abramof. J. Appl. Phys., 94, 7050 (2003). DOI: 10.1063/1.1621738
  18. T. Sekine, K. Uchinokura, E. Matsuura. J. Phys. Chem. Solids, 38 (9), 1091 (1977). DOI: 10.1016/0022-3697(77)90216-5
  19. P. Verma, K. Oe, M. Yamada, H. Harima, M. Herms, G. Irmer. J. Appl. Phys., 89 (3), 1657 (2001). DOI: 10.1063/1.1336561
  20. J.S. Lannin. Phys. Rev. B, 15 (8), 3863 (1977). DOI: 10.1103/PhysRevB.15.3863
  21. M. Jansson, V.V. Nosenko, G.Y. Rudko, F. Ishikawa, W.M. Chen, I.A. Buyanova. Sci. Rep., 13, 12880 (2023). DOI: 10.1038/s41598-023-40217-2
  22. S. Alhassan, D. de Souza, A. Alhassni, A. Almunyif, S. Alotaibi, A. Almalki, M. Alhuwayz, I.P. Kazakov, A.V. Klekovkin, V.I. Tsekhosh, I.A. Likhachev, E.M. Pashaev, S. Souto, Y. Galvao Gobato, N. Al Saqri, H. Vinicius A. Galeti, F. Al Mashary, H. Albalawi, N. Alwadai, M. Henini. J. Alloys Compd., 885, 161019 (2021). DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161019
  23. J.A. Steele, R.A. Lewis, M.O. Henini, M. Lemine, A. Alkaoud. J. Appl. Phys., 114, 193516 (2013). DOI: 10.1063/1.4831947
  24. A. Vaitkevivcius, A. vSpokas, A. Zelioli, U. Cibulskaite, A. Bivciunas, E. Dudutiene, B. vCechavivcius, M. Skapas, A. vCervskus, M. Talaikis, P. Baranowski, P. Wojnar, R. Butkute. Surf. Interf., 68, 106586 (2025)
  25. H. Liu, Y. Zhang, E.H. Steenbergen, S. Liu, Z. Lin, Y.-H. Zhang, J. Kim, M.H. Ji, T. Detchprohm, R.D. Dupuis, J.K. Kim, S.D. Hawkins, J.F. Klem. Phys. Rev. Appl., 8 (3), 034028 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.8.034028

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme