Исследования структуры и стехиометрии ряда твердых растворов селенида цинка-марганца ZnSe-MnSe
Шарков М.Д.
1, Бойко М.Е.
1, Бойко А.М.1, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: mischar@mail.ru, boikomix@gmail.com, andray599@gmail.com, nikolaev.v@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2026 г.
Принята к печати: 5 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 9 октября 2026 г.
Для образца химического состава Zn0.99Mn0.01Se, выращенного методом Бриджмена, проведены рентгеноструктурные исследования в режимах theta-2theta- и ω-сканирования. Сформулировано предположение, что в образце формируется ряд фазовых составляющих вида Zn1-xMnxSe с атомной долей Mn (относительно общего количества Mn и Zn) от 5 до 15 %. Показано присутствие в образце фракций квазикогерентных кристаллитов, отклоненных друг от друга на ~2.3' по пространственной ориентации. Ключевые слова: полупроводниковые гетероструктуры, твердые растворы, рентгеноструктурный анализ, доменная структура, совершенство кристаллов. DOI: 10.21883/0000000000
- S.T. Lakshmikumar, A.C. Rastogi. Thin Sol. Films, 259 (2), 150 (1995). DOI: 10.1016/0040-6090(94)06433-4
- F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. IEEE J. Quant. Electron., 37 (9), 1146 (2001). DOI: 10.1109/3.945319
- Y.P.V. Subbaiah, P. Prathap, M. Devika, K.T.R. Reddy. Physica B, 365, 240 (2005). DOI: 10.1016/j.physb.2005.05.020
- V. Thanigaimani, M.A. Angadi. Thin Sol. Films, 245, 146 (1994). DOI: 10.1016/0040-6090(94)90890-7
- T. Mahalingam, S. Thanikaikarasan, V. Dhanasekaran, A. Kathalingam, S. Velumani, J.-K. Rhee. Mater. Sci. Eng. B, 174, 257-262 (2010). DOI: 10.1016/j.mseb.2010.03.026
- G. Brammertz, M. Shahjahan, A. Bin Shams, A.J. Lopez Garcia, A. Perez-Rodriguez, J. de Wild, M. Meuris, J. Poortmans, B. Verma. Thin Sol. Films, 767, 139671 (2023). DOI: 10.1016/j.tsf.2023.139671
- C. Fang, X. Liu, S. Wang, J. Zhang, J. Zhao, X. Fan, B. Xu. Chem. Eng. J., 508, 160999 (2025). DOI: 10.1016/j.cej.2025.160999
- W. Zhong, R. Zhao, Y. Zhu, Y. Xu, W. Chen, C. Peng. Adv. Funct. Mater., 35 (17), 2419720 (2025). DOI: 10.1002/adfm.202419720
- B.A. Akins, S.A. Ivanov, J.B. Plumley, S.M. Stephens, N.C. Cook, G.A. Smolyakov, M. Osinski. 2013 CLEO-PR Conf. (Optica Publishing Group, Kyoto, 2013) p. ThI3_7
- M.E. Doroshenko, H. Jelinkova, V.V. Osiko, M. Jelinek, D. Vyhlidal, J. Sulc, M. Nemec, N.O. Kovalenko, A.S. Gerasimenko. J. Luminesc., 192, 1300 (2017). DOI: 10.1016/j.jlumin.2017.09.014
- A. Riha, H. Jelinkova, M.E. Doroshenko, M. Jelinek, J. Sulc, M. Nemec, D. Vyhlidal, N.O. Kovalenko. Materials, 15 (15), 5277 (2022). DOI: 10.3390/ma15155277
- M.E. Doroshenko, H. Jelinkova, A. Riha, K. Pierpoint. Mater. Today Commun., 37, 107048 (2023). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2023.107048
- D.R. Yoder-Short, U. Debska, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 58 (11), 4056 (1985). DOI: 10.1063/1.335585
- H. Wiedemeier, A.K. Chaudhuri. Monatsh. Chem., 103 (1), 326 (1972). DOI: 10.1007/BF00912957
- A. Baroni. Z. Kristallogr., 99, 336 (1938). DOI: 10.1524/zkri.1938.99.1.336
- Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 354 (2005). DOI: 10.1134/1.1882797 [E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 39 (3), 336 (2005)]
- N.V. Kozyrev, K.A. Baryshnikov, B.R. Namozov, I.I. Kozlov, M.E. Boiko, N.S. Averkiev, Yu.G. Kusrayev. PRB, 111 (13), 134432 (2025). DOI: 10.1103/PhysRevB.111.134432
- H. Zhu, S. Wang, M. Sheng, B. Shao, Y. He, Z. Liu, G. Zhou. Inorganics, 13 (2), 53 (2025). DOI: 10.3390/inorganics13020053
- М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, С.Г. Конников, А.В. Бобыль, Н.С. Будкина. ЖТФ, 85 (11), 1 (2015). DOI: 10.1134/S1063784215110067 [M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.M. Boiko, S.G. Konnikov, A.V. Bobyl, N.S. Budkina. Tech. Phys., 60 (11), 1575 (2015)]
- М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, П.Н. Бутенко, А.В. Алмаев, В.И. Николаев. Письма ЖТФ, 51 (1), 33 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.01.59518.20018 [M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.M. Boiko, P.N. Butenko, A.V. Almaev, V.I. Nikolaev. Tech. Phys. Lett., 51 (1), 30 (2025). DOI: 10.61011/TPL.2025.01.60132.20018]