Приведены сравнительные характеристики обратного восстановления p⁺-p⁰-i-n⁰-n⁺-диодов c высоковольтными плавными p⁰-i-n⁰-переходами из GaAs и Al_xGa_1-xAs с x до 0.8, с градиентом состава базовых слоев и без него, изготовленными методом жидкофазной эпитаксии. Выявлено, что действие в базовых слабо легированных слоях Al_xGa_1-xAs дополнительного встроенного квазиэлектрического поля (до 10⁴ эВ/м), появляющегося в результате создания градиента состава x (и ширины запрещенной зоны) по их толщине, способствует уменьшению времени релаксации неравновесных носителей заряда и, соответственно, времени обратного восстановления диодов на их основе. Ключевые слова: AlGaAs, p⁰-i-n⁰-переход, встроенное квазиэлектрическое поле, обратное восстановление диода. DOI: 10.21883/0000000000