Предложен новый метод нахождения параметров ABC-модели для определения внутреннего квантового выхода гетероструктур светоизлучающих диодов, не требующий проведения полного цикла изготовления приборов. Эпитаксиальная гетероструктура светоизлучающего диода с нанесенными никелевыми контактами освещалась лазером, при этом p-n-переход структуры работал в режиме холостого хода. Была получена зависимость интенсивности люминесценции L от уровня световой мощности лазера P_las (фото-ЭЛ), родственная люкс-амперной (L-J) зависимости. Измеренная зависимость L от тока, подаваемого на контакты, позволила достроить полную зависимость L-P_las в область, где лазерное излучение перегревало образец. Проведен анализ полученных зависимостей L/P_las-P_las, который позволил получить искомые параметры ABC-модели для светоизлучающего диода на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с множественными квантовыми ямами. Ключевые слова: светоизлучающий диод, МОГФЭ, внутренняя квантовая эффективность, электролюминесценция, АВС-модель. DOI: 10.21883/0000000000