Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесценция p-n-гетероструктур на основе InAs, InAsSb и InAsSbP

Климов А.А.¹, Ильинская Н.Д.¹, Карандашев С.А.¹, Кунков Р.Э.¹, Лухмырина Т.С.¹, Матвеев Б.А.¹, Ременный М.А.¹, Усикова А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: a.klimov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.

В окончательной редакции: 22 июля 2026 г.

Принята к печати: 22 июля 2026 г.

Выставление онлайн: 9 октября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Сообщается о результатах исследования фото- и электролюминесценции p-n-гетероструктур c активными областями на основе InAs и твердых растворов InAsSb и InAsSbP в области составов, обеспечивающих значения ширины запрещенной зоны активной области E_g=110-480 мэВ при комнатной температуре. Приведены данные об эффективности электролюминесценции (англ. - wall-plug efficiency) и проведено сравнение с расчетными значениями внутренней квантовой эффективности при наличии оже-рекомбинации. Сообщается о достижении эффективности, равной 2 % при токе инжекции 10 мА в светодиодах с длиной волны 3.4 мкм (22 ^oC), и сделаны предположения о причинах уменьшения квантовой эффективности, связанных с рекомбинацией Оже-1 в узкозонном твердом растворе InAsSb. Ключевые слова: InAsSb, InAs, InAsSbP, средневолновые ИК светодиоды, фотолюминесценция А^IIIВ^V, электролюминесценция 3-5 мкм. DOI: 10.21883/0000000000

N. Schafer, J. Scheuermann, R. Weih, J. Koeth, S. Hofling. Opt. Eng., 58 (11), 117106 (2019). ttps://doi.org/10.1117/1.OE.58.11.117106
K.N. Schrock, D.A. Montealegre, W. Dai, M.Z. Bellus, L.M. Nichols, J.P. Prineas. J. Appl. Phys., 135 (18), 183101 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0193624
D.A. Montealegre, K.N. Schrock, A.C. Walhof, A.M. Muellerleile, J.P. Prineas. Appl. Phys. Lett., 118 (7), 071105 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0039269
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1368156
A. Krier. Appl. Phys. Lett., 56 (24), 2428 (1990). https://doi.org/10.1063/1.102899
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (9), 1184 (2015)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, А.А. Семакова, Г.Г. Зегря. ФТП, 53 (4), 435 (2019) DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47437.9004

Учредители

Издатель