Исследованы особенности легирования кремния методом неравновесной твердофазной диффузии бора при локальном нагреве структуры примесь-полупроводник непрерывным и сканируемым излучением СO₂-лазера. Методом спектроскопии вторичных ионов определены концентрационные профили распределения бора в легированных слоях, сформированных путем облучения структур примесь-полупроводник как со стороны полупроводника, так и со стороны пленки легирующего элемента. В оптимальных режимах облучения получены легированные слои субмикронной толщины. Исследованы вольтамперные характеристики сформированных диодных структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.