"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда
Теруков Е.И.1, Коньков О.И.1, Кудоярова В.Х.1, Гусев О.Б.1, Вайзер Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Марбургский Университет, Марбург, Германия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Впервые сообщается о наблюдении эффективной фотолюминесценции эрбия при комнатной температуре в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом плазмохимического осаждения.
  • Rare Earth Doped Semiconductors I, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer [Mater. Res. Soc. Proc., 301] (Pittsburgh PA, 1992)
  • Rare Earth Doped Semiconductors II, ed. by S. Coffa, A. Polman, R.N. Schwartz. [Mater. Res. Soc. Proc., 422] (Pittsburgh PA, 1996)
  • I.N. Yassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol., 8, 718 (1993)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
  • T. Oesterreich, G. Swiatkowski, I. Broser. Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990)
  • M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  • A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes, L.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
  • W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.