"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда
Теруков Е.И.1, Коньков О.И.1, Кудоярова В.Х.1, Гусев О.Б.1, Вайзер Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Марбургский Университет, Марбург, Германия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Впервые сообщается о наблюдении эффективной фотолюминесценции эрбия при комнатной температуре в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом плазмохимического осаждения.
  1. Rare Earth Doped Semiconductors I, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer [Mater. Res. Soc. Proc., 301] (Pittsburgh PA, 1992)
  2. Rare Earth Doped Semiconductors II, ed. by S. Coffa, A. Polman, R.N. Schwartz. [Mater. Res. Soc. Proc., 422] (Pittsburgh PA, 1996)
  3. I.N. Yassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol., 8, 718 (1993)
  4. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
  5. T. Oesterreich, G. Swiatkowski, I. Broser. Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990)
  6. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  7. A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes, L.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
  8. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.