"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии
Коугия К.В.1, Теруков Е.И.2, Фус В.3
1Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Hahn-Meitner Institute, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 5 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

На основе исследования нестационарной фотопроводимости в a-Si : H сделан вывод о том, что туннельная рекомбинация неравновесных носителей может играть определяющую роль в интервале температур от самых низких (гелиевых) и вплоть до температур, близких к температуре получения материала.
  1. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд. иностр. лит., 1962)
  2. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Мир, 1963)
  3. F.E. Williams. J. Phys. Chem. Sol., 12, 265 (1960)
  4. В.П. Добрего, С.М. Рывкин. ФТТ, 4, 553 (1962)
  5. N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
  6. R. Rentzch, I.S. Shlimak. Phys. St. Sol., (a), 43, 231 (1977)
  7. V.I. Safarov, I.S. Shlimak, A.N. Titkov. Phys. St. Sol., 41, 439 (1970)
  8. R.H. Bube. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, ed. by Hans Neber-Aeschbacher (Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1995) part. I, p. 463
  9. T. Pisarkewitz, T. Stapinski. J. Non-Cryst. Sol. (to be published)
  10. M. Hoheisel, R. Carius, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol. 63, 313 (1984)
  11. B.I. Shklovskii, E.I. Levin, H. Fritzsche, S.D. Baranovskii. In: Advances in Disodered Semiconductors, vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, 1990) p. 161
  12. A.A. Andreev, A.V. Zherzdev, A.I. Kosarev, K.V. Koughia, I.S. Shlimak. Sol. St. Commun., 52, 589 (1984)
  13. K.V. Koughia, I.S. Shlimak. In: Advances in Disodered Semiconductors, vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, 1990) p. 213
  14. T. Tiedje. In: The Physics of Hydrogeneted Amorphous Silicon II: Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Jonnopoulos and G. Lucovsky (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N. Y., Tokyo, 1984) p. 329
  15. C. Tsang, R.A. Street. Phys. Rev. B, 19, 3027 (1979)
  16. V. Chech, F. Schauer, J. Stuchlik. J. Non-Cryst. Sol. (to be published)
  17. H. Reiss, C.S. Fuller, F.J. Morin. Bell. Syst. Techn. J., 35, 535 (1956)
  18. Z. Vardeny, P. O'Connor, S.Ray, J. Tauc. Phys. Rev. Lett., 44, 1267 (1980)
  19. K.V. Koughia, E.I. Terukov. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 603 (1991)
  20. R.H. Bube, L.E. Benator, K.P. Bube. J. Appl. Phys., 79, 1926 (1996)
  21. H. Oheda. Researhes of the Electrotehnical Laboratory, 886 (1978)
  22. H. Naito. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, ed. by Hans Neber-Aeschbacher (Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1995) part. I, p. 647
  23. M. Gershenson, F. Trumbore, R. Mikulyak, K. Kovalshik. J. Appl. Phys., 36, 1528 (1965)
  24. M.H. Pilkum, M.R. Lorentz. Bull. Amer. Phys. Soc. Ser. II, 11, 188 (1966)
  25. В.С. Львов, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. Препринт N 182 (Институт автоматики и электроники СО АН СССР, Новосибирск, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.