"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии
Коугия К.В.1, Теруков Е.И.2, Фус В.3
1Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Hahn-Meitner Institute, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 5 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

На основе исследования нестационарной фотопроводимости в a-Si : H сделан вывод о том, что туннельная рекомбинация неравновесных носителей может играть определяющую роль в интервале температур от самых низких (гелиевых) и вплоть до температур, близких к температуре получения материала.
  • Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд. иностр. лит., 1962)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Мир, 1963)
  • F.E. Williams. J. Phys. Chem. Sol., 12, 265 (1960)
  • В.П. Добрего, С.М. Рывкин. ФТТ, 4, 553 (1962)
  • N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
  • R. Rentzch, I.S. Shlimak. Phys. St. Sol., (a), 43, 231 (1977)
  • V.I. Safarov, I.S. Shlimak, A.N. Titkov. Phys. St. Sol., 41, 439 (1970)
  • R.H. Bube. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, ed. by Hans Neber-Aeschbacher (Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1995) part. I, p. 463
  • T. Pisarkewitz, T. Stapinski. J. Non-Cryst. Sol. (to be published)
  • M. Hoheisel, R. Carius, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol. 63, 313 (1984)
  • B.I. Shklovskii, E.I. Levin, H. Fritzsche, S.D. Baranovskii. In: Advances in Disodered Semiconductors, vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, 1990) p. 161
  • A.A. Andreev, A.V. Zherzdev, A.I. Kosarev, K.V. Koughia, I.S. Shlimak. Sol. St. Commun., 52, 589 (1984)
  • K.V. Koughia, I.S. Shlimak. In: Advances in Disodered Semiconductors, vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific Publishing Company, 1990) p. 213
  • T. Tiedje. In: The Physics of Hydrogeneted Amorphous Silicon II: Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Jonnopoulos and G. Lucovsky (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N. Y., Tokyo, 1984) p. 329
  • C. Tsang, R.A. Street. Phys. Rev. B, 19, 3027 (1979)
  • V. Chech, F. Schauer, J. Stuchlik. J. Non-Cryst. Sol. (to be published)
  • H. Reiss, C.S. Fuller, F.J. Morin. Bell. Syst. Techn. J., 35, 535 (1956)
  • Z. Vardeny, P. O'Connor, S.Ray, J. Tauc. Phys. Rev. Lett., 44, 1267 (1980)
  • K.V. Koughia, E.I. Terukov. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 603 (1991)
  • R.H. Bube, L.E. Benator, K.P. Bube. J. Appl. Phys., 79, 1926 (1996)
  • H. Oheda. Researhes of the Electrotehnical Laboratory, 886 (1978)
  • H. Naito. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, ed. by Hans Neber-Aeschbacher (Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1995) part. I, p. 647
  • M. Gershenson, F. Trumbore, R. Mikulyak, K. Kovalshik. J. Appl. Phys., 36, 1528 (1965)
  • M.H. Pilkum, M.R. Lorentz. Bull. Amer. Phys. Soc. Ser. II, 11, 188 (1966)
  • В.С. Львов, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. Препринт N 182 (Институт автоматики и электроники СО АН СССР, Новосибирск, 1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.