Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP(111)

Сычикова Я.А.¹, Кидалов В.В.¹, Сукач Г.А.²

¹Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

²Национальный университет биоресурсов и природопользования, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 22 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

При помощи растровой электронной микроскопии показано влияние дислокаций на механизм порообразования при электролитическом травлении монокристаллического InP. При изучении наноструктуры пористых слоев установлены особенности механизмов порообразования в образцах n-InP. Показано, что они обусловлены выходом дислокаций на поверхность (111) и ростом пор как вдоль поверхности, так и перпендикулярно ей. Произведен расчет плотности дислокаций в местах повышенной концентрации примеси.

В.П. Улин, С.Г. Конников. ФТП, 41 (7), 854 (2007)
В.П. Улин, С.Г. Конников. ФТП, 41 (7), 867 (2007)
L. Santinacci, T. Djenizian. Comptes Rendus Chimie, 11, 964 (2008)
R. Srinivasan, K. Ramachandran. Bull. Mater. Sci., 31 (6), 863 (2008)
H. Foll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, I.M. Tiginyanu. Adv. Mater., 15 (3), 183 (2003)
I. Simkiene, J. Sabataityte, A. Kindurys, M. Treideris. Acta Phys. Polon., 113 (3), 1085 (2008)
H. Hasegawa, T. Sato. Electrochim. Acta, 50, 3015 (2005)
Zhankun Weng, Aimin Liu, Yanhong Liu, Huijing Luo, Feng Xu, Xiuping Liang, Guotong Du. Microelectronics J., 38, 1191 (2007)
M. Hueppe, U. Schlierf, R. Gassiloud, J. Michler, P. Schmuki. Phys. Status Solidi C, 2 (9), 3359 (2005)
В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович. ФТП. 42 (10), 1198 (2008)
R. Gassilloud, J. Michler, C. Ballif, Ph. Gasser, P. Schmuki. Electrochim. Acta, 51, 2182 (2006)
V.V. Kidalov, G.A. Sukach, A.S. Revenko, A.D. Bayda. Phys. Status Solidi A, 202 (8), 1668 (2005)
Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, Н.В. Абросимов, М.Ю. Гуткин, А.Г. Забродский, Л.С. Костина, J.W. Jung, J.H. Je. Письма ЖТФ, 33 (12), 37 (2007)
N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex. J. Cryst. Growth, 166, 657 (1996)
Т.В. Панченко, М.Д. Волнянский, В.Г. Моня, В.М. Дуда. ФТТ, 19 (8) 1238 (1977)
С.В. Мельникова, Л.И. Исаенко, В.М. Пашков, И.В. Певнев. ФТТ, 48 (11), 2032 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель