Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Бойко В.М.1, Веревкин С.С.1, Колин Н.Г.1, Корулин А.В.1, Меркурисов Д.И.1, Поляков А.Я.2, Чевычелов В.А.1
1Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2Гиредмет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов (Phi==1.5·1017-8·1019 см-2) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000oC на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al2O3. Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1-2)·1018 см-2 удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 1010 Ом·см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2·106 Ом·см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c с ростом флюенса нейтронов до 8·1019 см-2 увеличивается на 0.38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000oC не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала.
- Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 6, 12 (2003)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, M.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, M. Skowronskii, In-Hwan Lee. Physica B, 376- 377, 523 (2006)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko. J. Appl. Phys., 98, 033529-1 (2005)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (3), 1094 (2006)
- V.M. Boyko, V.T. Bublik, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova. Physica B, 373, 82 (2006)
- K. Kuriyama, T. Tokumasu, H. Sano, M. Okada. Sol. St. Commun., 131, 31 (2004)
- A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 25 (2), 436 (2007)
- В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП, 43 (10), 1312 (2009)
- В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35 (12), 1423 (2001)
- I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, 18 (1997)
- K.H. Cheng, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 85 (13), 2761 (2000)
- H. Wang, A.B. Chen. J. Appl. Phys., 87, 7859 (2000)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука. Сиб. отд-ние, 1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук