О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Корнаухов А.В.1, Ежевский А.А.1, Марычев М.О.1, Филатов Д.О.1, Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si:Er/Si с p-n-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0.9-1.65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si:Er за счет их туннелирования из валентной зоны p+-слоя в электрическом поле обратно смещенного p-n-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований.
- G. Franzo, F. Priolo, S. Koffa, A. Kamera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- J. Stimmer, A. Reittinger, V.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
- N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 190 (1997)
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
- V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
- A.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev., 102, 369 (1956)
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
- O. Eknoyan, S.M. Sze, E.S. Yang. SSE, 20, 285 (1977)
- O. Eknoyan, E.S. Yang, S.M. Sze. SSE, 20, 295 (1977)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 3, с. 158 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapure, Willey Intersience Publication, 1981) v. 1]
- О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkieviz, V.A.J. Klik. ФТП, 46, 98 (2004)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkieviz, V.A.J. Klik. ФТП, 47, 83 (2005)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977) гл. 5, с. 105 [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.--London--Sidney--Toronto, Willey Intersience Publication, 1977)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
