Вышедшие номера
Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
Гавриленко В.И.1, Криштопенко С.С.1, Goiran M.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 27 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Теоретически изучено влияние электрон-электронного взаимодействия на спектр двумерных электронных состояний в гетероструктурах InAs/AlSb (001) с покрывающим слоем GaSb с одной заполненной подзоной размерного квантования. Выполнены расчеты энергетического спектра двумерных электронов в приближении Хартри и Хартри-Фока. Показано, что обменное взаимодействие, приводя к уменьшению энергии электронов в подзонах, увеличивает расстояние между подзонами и величину спин-орбитального расщепления спектра во всем диапазоне значений концентрации электронов, при которых заполнена только нижняя подзона размерного квантования. Продемонстрирована нелинейная зависимость константы расщепления Рашбы при фермиевском волновом векторе от концентрации двумерных электронов.