Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 1 » Статья стр. 111
<<<>>>
Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
Гавриленко В.И.1, Криштопенко С.С.1, Goiran M.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 27 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
PDF версия
Теоретически изучено влияние электрон-электронного взаимодействия на спектр двумерных электронных состояний в гетероструктурах InAs/AlSb (001) с покрывающим слоем GaSb с одной заполненной подзоной размерного квантования. Выполнены расчеты энергетического спектра двумерных электронов в приближении Хартри и Хартри-Фока. Показано, что обменное взаимодействие, приводя к уменьшению энергии электронов в подзонах, увеличивает расстояние между подзонами и величину спин-орбитального расщепления спектра во всем диапазоне значений концентрации электронов, при которых заполнена только нижняя подзона размерного квантования. Продемонстрирована нелинейная зависимость константы расщепления Рашбы при фермиевском волновом векторе от концентрации двумерных электронов.
  1. S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett., 56, 665 (1990)
  2. В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008)
  3. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev. B, 38, 10 142 (1988)
  4. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs. Phys. Rev. B, 57, 11 911 (1998)
  5. T. Matsuyama, R. Kursten, C. Meisner, U. Merkt. Phys. Rev. B, 61, 15 588 (2000)
  6. D. Grunder. Phys. Rev. Lett., 84, 6074 (2000)
  7. G.L. Chen, J. Han, T.T. Huang, S. Datta, D.B. Janes. Phys. Rev. B, 47, 4084 (1993)
  8. Ю.Л. Иванов, П.С. Копьев, С.Д. Сучалкин, В.М. Устинов. Письма ЖЭТФ, 53, 470 (1991) [Ju.L. Ivanov, P.S. Kop'ev, S.D. Suchalkin, V.M. Ustinov. Sov. Phys. JETP Lett., 53, 93 (1991)]
  9. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev. B, 41, 7685 (1990)
  10. G.A. Khodaparast, R.E. Doezema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Proc. 10th Intern. Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Ishikawa, 2001) (IPAP Conf. Ser. 2) p. 245
  11. X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 69, 115 340 (2004)
  12. X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001)
  13. Y.S. Gui, C.R. Becker, N. Dai, J. Liu, Z.J. Qiu, E.G. Novik, M. Schafer, X.Z. Shu, J.H. Chu, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 70, 115 328 (2004)
  14. M. Schultz, F. Heinrichs, U. Merkt, T. Colin, T. Skauli, S. Lovold. Semicond. Sci. Technol., 11, 1168 (1996)
  15. W. Zawadzki, P. Pfeffer. Semicond. Sci. Technol., 19, R1 (2004)
  16. H. Kroemer. Physica E, 20, 196 (2004)
  17. Yu. G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  18. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  19. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  20. Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  21. J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl. Phys., 73, 8313 (1993)
  22. J. Shen, H. Goronkin, J.D. Dow, S.Y. Ren. J. Appl. Phys., 77, 1576 (1995)
  23. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 30 (2005)
  24. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, L.E. Golub, E.L. Ivchenko, P. Schneider, S. Giglberger, J. Eroms, J. De Boeck, G. Borghs, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl. Phys. Rev. Lett., 92, 256 601 (2004)
  25. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  26. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  27. В.И.Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТТ, 44, 642 (2010)
  28. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol 1, 249 (1957)
  29. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) [G.L. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1974)]
  30. Ю.А. Романов. ФТТ, 47, 2119 (1979)
  31. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979) т. 1, гл. 17, с. 343 [N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics (Washington, DC: Holt, Rinehart, and Winston, 1976) chap. 17, p. 344]
  32. E.O. Kane. Proc. of Narrow Gap Semiconductors Physics and Applications (Nimes, 1979), ed. by W. Zawadzki (Springer-Verlag, N.Y., 1980)
  33. P. Pfeffer, W. Zawadzki. Phys. Rev. B, 59, R5312 (1999)
  34. D.Y.K. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9945 (1988)
  35. T. Ando. Z. Physik B, 26, 263 (1977)
  36. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs. Phys. Rev. B, 57, 11 911 (1998)
  37. P. Pfeffer. Phys. Rev. B, 59, 15 902 (1999)
  38. S. Brosig, K. Ensslin, R.J. Warburton, C. Nguyen, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Phys. Rev. B, 60, R13 989 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme