Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 12 » Статья стр. 1669
<<<>>>
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43897.43
Гудина С.В.1, Арапов Ю.Г.1, Савельев А.П.1, Неверов В.Н.1, Подгорных С.М.1,2, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.1,2, Васильевский И.С.3, Виниченко А.Н.3
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: svpopova@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
PDF версия
Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.
  1. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer-Verlag, Heidelberg, 1984)
  2. N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968)
  3. A.L. Efros, B.I. Shklovskii. J. Phys. C, 8, L49 (1975)
  4. D.G. Polyakov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Lett., 70, 3796 (1993); D.G. Polyakov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 48, 11 167 (1993)
  5. I.L. Aleiner, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 49, 13 721 (1994)
  6. The Quantum Hall Effect, ed. by R.E. Prange, S.M. Girvin [ Graduate Texts in Contemporary Physics (Springer, Berlin, 1987)]
  7. B. Kramer, T. Ohtsuki, S. Kettemann. Phys. Reports, 417, 211 (2005)
  8. B. Huckestein. Rev. Mod. Phys., 67, 367 (1995)
  9. D.-H. Shin, C.E. Becker, J.J. Harris, J.M. Fernandez, N.J. Woods, T.J. Thornton, D.K. Maude, J.-C. Portal. Semicond. Sci. Technol., 14, 762 (1999)
  10. M. Furlan. Phys. Rev. B, 57, 14 818 (1998)
  11. F. Hohls, U. Zeitler, R.J. Haug. Phys. Rev. Lett., 88, 036 802 (2002)
  12. Tao Tu, Yong-Jie Zhao, Guo-Ping Guo, Xiao-Jie Hao, Guang-Can Guo. Phys. Lett. A, 368, 108 (2007); Tu Tao, Zhao Yong-Jie, Hao Xiao-Jie, Wang Cheng-You, Guo Guang-Can, Guo Guo-Ping. Chin. Phys. Lett., 25, 1083 (2008); Y.J. Zhao, T. Tu, X.J. Hao, G.C. Guo, H.W. Jiang, G.P. Guo. Phys. Rev. B, 78, 233 301 (2008)
  13. N.A. Dodoo-Amoo, K. Saeed, D. Mistry, S.P. Khanna, L. Li, E.N. Linfield, A.G. Davies, J.E. Cunningham. J. Phys.: Condens. Matter, 26, 475 801 (2014); N.A. Dodoo-Amoo, K. Saeed, L. Li, E.N. Linfield, A.G. Davies, J.E. Cunningham. J. Phys.: Conf. Ser., 456, 012 007 (2013); K. Saeed, N.A. Dodoo-Amoo, L. Li, S.P. Khanna, E.N. Linfield, A.G. Davies, J.E. Cunningham. Phys. Rev. B, 84, 155 324 (2011)
  14. S. Koch, R.J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog. Semicond. Sci. Technol., 10, 209 (1995).
  15. Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, M.V. Yakunin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. J. Low Temp. Phys., 182, в печати (2016)
  16. A.J.M. Giesbers, U. Zeitler, L.A. Ponomarenko, R. Yang, K.S. Novoselov, A.K. Geim, J.C. Maan. Phys. Rev. B, 80, 241 411(R) (2009)
  17. K. Bennaceur, P. Jacques, F. Portier, P. Roche, D.C. Glattli. Phys. Rev. B, 86, 085 433 (2012)
  18. C. Chuang, R.K. Puddy, H.-D. Lin, S.-T. Lo, T.-M. Chen, C.G. Smith, C.-T. Liang. Sol. St. Commun., 152, 905 (2012)
  19. C. Cobaleda, S. Pezzini, A. Rodriguez, E. Diez, V. Bellani. Phys. Rev. B, 90, 161 408(R) (2014)
  20. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Л. Кванин, С.С. Пушкарев, М.А. Пушкин. ФТП, 45, 1203 (2011); И.С. Васильевский, С.С. Пушкарев, М.М. Грехов, А.Н. Виниченко, Д.В. Лаврухин, О.С. Коленцова. ФТП, 50, 567 (2016)
  21. H.P. Wei, D.C. Tsui, M.A. Paalanen, A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. Lett., 61, 1294 (1988)
  22. S.A. Trugman. Phys. Rev. B, 27, 7539 (1983)
  23. J.T. Chalker, P.D. Coddington. J. Phys. C: Solid State Phys., 21 (1988)
  24. H. Aoki, T. Ando. Phys. Rev. Lett., 54, 831 (1985)
  25. S. Hikami. Prog. Theor. Phys., 76, 1210 (1986)
  26. A.M.M. Pruisken, B. Skoric, M.A. Baranov. Phys. Rev. B, 60, 16 838 (1999)
  27. W. Li, G.A. Csathy, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 94, 206 807 (2005); W. Li, C.L. Vicente, J.S. Xia, W. Pan, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 102, 216 801 (2009); W. Li, J.S. Xia, C. Vicente, N.S. Sullivan, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. B, 81, 033 305 (2010)
  28. A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. Lett., 61, 1297 (1988)
  29. A.M.M. Pruisken, I.S. Burmistrov. Письма ЖЭТФ, 87, 252 (2008); I.S. Burmistrov, S. Bera, F. Evers, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin. Ann. Phys., 326, 1457 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme