"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП ИР 14-20, 14.604.21.0134
Варавин В.С. 1, Васильев В.В.1, Гузев А.А.1, Дворецкий С.А.1, Ковчавцев А.П.1, Марин Д.В. 1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1, Сидоров Г.Ю. 1, Царенко А.В.1, Якушев М.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: varavin@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru, george@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур CdxHg1-xTe для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом C-V-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды p+-n-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1-5)·1015 см-3. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у n+-p-диодов.
  1. A. Manissadjian, L. Rubaldo, Y. Rebeil, A. Kerlain, D. Brellier, L. Mollacd. Proc. SPIE, 8353, 835334-1 (2012)
  2. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67, 39 (2000)
  3. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
  4. V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
  5. P. Martyniuk, W. Gawron. Metrol. Meas. Syst., XXI (4), 675 (2014)
  6. P. Martyniuk, A. Kozniewski, A. Keblowski, W. Gawron, A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 22 (2), 118 (2014)
  7. A.P. Kovchavtsev, A.A. Guzev, A.V. Tsarenko, Z.V. Panova, M.V. Yakushev, D.V. Marin, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov. Inf. Phys. Technol., 73, 312 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.