Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43892.38

Штром И.В.^1,2,3, Буравлев А.Д.^1,2,3, Самсоненко Ю.Б.^2,3,4, Хребтов А.И.^2,4, Сошников И.П.^1,2,3, Резник Р.Р.^2,4,5, Цырлин Г.Э.^2,3,4, Dhaka V.⁶, Perros A.⁶, Lipsanen H.⁶

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁴Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁵Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁶Aalto University, F Espoo, Finland

Email: igorstrohm@mail.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 Angstrem.

В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
Б.И. Бедный. СОЖ, 7, 114 (1998)
V. Dhaka, A. Perros, S. Naureen, N. Shahid, H. Jiang, J.-P. Kakko, T. Haggren, E. Kauppinen, A. Srinivasan, H. Lipsanen. AIP Advances, 6, 015 016 (2016)
P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315 703 (2012)
M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, H. Jiang, E.I. Kauppinen. Appl. Phys. Lett., 90, 033 101 (2007)
A.V. Senichev, V.G. Talalaev, I.V. Shtrom, H. Blumtritt, G.E. Cirlin, J. Schilling, Ch.P. Werner. ACS Photonics, 1 (11), 1099 (2014)
L.V. Titova, Th.B. Hoang, H.E. Jackson, L.M. Smith, J.M. Yarrison-Rice, H.J. Joyce, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 89, 173 126 (2006)
V. Dhaka, J. Oksanen, H. Jiang, T. Haggren, A. Nykanen, R. Sanatinia, J.-P. Kakko, T. Huhtio, M. Mattila, J. Ruokolainen, S. Anand, E. Kauppinen, H. Lipsanen. Nano Lett., 13, 3581 (2013)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi RRL, 4, 175 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель