Исследованы гетероструктурные солнечные элементы на подложках p-Si, легированных B, на поверхности b-Si, созданного сухим травлением. В качестве n-слоя выступает тонкий слой широкозонного GaP, выращенного атомно-слоевым плазмохимическим осаждением. Было показано, что облучение потоком электронов с энергией 1 МэВ и флюенсом 5·10¹⁴ см^-2 приводит к уменьшению плотности тока короткого замыкания с 26.3 до 12.2 мА/см², а при 1·10¹⁵ см^-2 - до 2.8 мА/см². Согласно спектрам квантовой эффективности и спектрам нестационарной спектроскопии глубоких уровней, в объеме Si не происходит существенного ухудшения его свойств. С другой стороны, после облучения на ВАХ появляется перегиб, свидетельствующий о наличии паразитного барьера в структуре, причиной которого является несовершенство металлического контакта к n-GaP из-за ухудшения его свойств после облучения. Ключевые слова:фосфид галия, черный кремний, спектроскопия полной проводимости, нестационарная спектроскопия глубоких уровней.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.