Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN

Лебедев А.А.¹, Козловский В.В.^1,2, Малевский Д.А.¹, Сахаров А.В.¹, Давыдовская К.С.¹, Левинштейн М.Е.¹, Николаев А.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Сaнкт-Петербургский политехнических университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great St. Petersburg Polytechnical University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great St. Petersburg Polytechnical University, St. Petersburg, Russia

Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 4 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 2 июля 2025 г.

Принята к печати: 2 июля 2025 г.

Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Создание приборов на основе широкозонных полупроводников является одним из наиболее быстроразвивающихся направлений современной электроники. В статье проведено сравнение влияния температуры облучения на радиационную стойкость GaN при облучении протонами и электронами. Определена скорость удаления носителей в GaN в случае облучения протонами и электронами при повышенных температурах. Показано, что, как и в случае SiC, происходит значительное уменьшение скорости удаления носителей при температуре облучения 200 ^oC по сравнению с облучением при комнатной температуре. Ключевые слова: GaN, SiC, радиационная стойкость, температура облучения, протоны, электроны.

X. Liu, P. Zou, H. Wang, Yu. Lin, J. Wu, Z. Chen, X. Wang, Sh. Huang. IEEE Trans. Electron Dev., 70, 3748 (2023)
M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, J. Suda, T. Kachi. Appl. Phys. Lett., 121, 203507 (2022)
D. Khachariya, Sh. Stein, W. Mecouch, M. HaydenBreckenridge, Sh. Rathkanthiwar, S. Mita, B. Moody1, P. Reddy, J. Tweedie, R. Kirste, K. Sierakowski, G. Kamler, M. Bockowski, E. Kohn, S. Pavlidis, R. Collazo, Z. Sitar. Appl. Phys. Express, 15, 101004 (2022)
А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, К.С. Давыдовская, Р.А. Кузьмин, Прверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 58 (2024)
E. Omotoso, W.E. Meyer, F. D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse, van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 112 (2015)
Z. Luo, T. Chen, J.D. Cressler, D.C. Sheridan, J.R. Williams, R.A. Reed, P.W. Marshall. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 1821 (2003)
S.J. Pearton, F. Ren, E. Patrick, M.E. Law, A.Y. Polyakov. ECS J. Solid State Sci. Technol., 5 (2), Q35 (2016)
S.J. Pearton, R. Deist, F. Ren, Lu Liu, A.Y. Polyakov, J. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 31 (5), 050801 (2013)
С.Ю. Давыдов, К.С. Давыдовская, В.В. Козловский, А.А. Лебедев. ФТП, 58 (9), 482 (2024)
V.V. Kozlovski, A.E. Vasil'ev, A.A. Lebedev, E.E. Zhurkin, M.E. Levinshtein, A.M. Strelchuk, D.A. Malevsky, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 18 (6), 1577 (2024)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель