Создание приборов на основе широкозонных полупроводников является одним из наиболее быстроразвивающихся направлений современной электроники. В статье проведено сравнение влияния температуры облучения на радиационную стойкость GaN при облучении протонами и электронами. Определена скорость удаления носителей в GaN в случае облучения протонами и электронами при повышенных температурах. Показано, что, как и в случае SiC, происходит значительное уменьшение скорости удаления носителей при температуре облучения 200 ^oC по сравнению с облучением при комнатной температуре. Ключевые слова: GaN, SiC, радиационная стойкость, температура облучения, протоны, электроны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.