Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 4 » Статья стр. 230
<<<>>>
Управление плотностью носителей заряда в фототранзисторных структурах на основе CVD-MoS2 атомарной толщины
Елисеев И.А.1, Kurtash V.A.2, Pezoldt J.2, Давыдов В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Технический университет Ильменау (TU Ilmenau), Ильменау, Германия
Email: ilya.eliseyev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2025 г.
Принята к печати: 10 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.
PDF версия
Оптимизация свойств двумерных полупроводников для их применения в различных типах электронных приборов является одной из важнейших задач современной наноэлектроники. Исследованы особенности управления концентрацией носителей заряда в монослойном и двухслойном MoS2 с помощью изменения затворного напряжения транзистора. Изучено влияние включений MoS2 двухслойной толщины с регулярной (3R) и нерегулярной последовательностью укладки на степень нелинейности вольт-амперных характеристик и отклик параметров MoS2 на напряжение на затворе. Ключевые слова: дисульфид молибдена, фототранзистор, гистерезис, спектроскопия КРС, фотолюминесценция, носители заряда.
  1. V. Kurtash, H.O. Jacobs, J. Pezoldt. Phys. Status Solidi A, 220, 2200893 (2023). DOI: 10.1002/pssa.202200893
  2. S. Kang, J. Lee, M. Kang, Y. Song. Electronics, 9, 8 (2020). DOI: 10.3390/electronics9081268
  3. A. Morteza Najarian, M. Vafaie, B. Chen, F.P. Garci a De Arquer, E.H. Sargent. Nature Rev. Phys., 6, 219 (2024). DOI: 10.1038/s42254-024-00699-z
  4. O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic, A. Kis. Nature Nanotechnol., 8, 497 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2013.100
  5. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnol., 6, 147 (2011). DOI: 10.1038/nnano.2010.279
  6. S. Najmaei. Nature Materials, 12, 754 (2013). DOI: 10.1038/nmat3673
  7. L. Chua. IEEE Trans. Circuit Theory, 18, 507 (1971). DOI: 10.1109/TCT.1971.1083337
  8. L. Chua. Semicond. Sci. Technol., 29, 104001 (2014). DOI: 10.1088/0268-1242/29/10/104001
  9. D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature, 453, 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
  10. J. Bae, J. Won, W. Shim. Nano Energy, 126, 109646 (2024). DOI: 10.1016/j.nanoen.2024.109646
  11. N. Kaushik, D.M.A. Mackenzie, K. Thakar, N. Goyal, B. Mukherjee, P. Boggild, D.H. Petersen, S. Lodha. npj 2D Mater. Appl., 1, 34 (2017). DOI: 10.1038/s41699-017-0038-y
  12. V. Kurtash, S. Mathew, S. Thiele, T. Scheler, J. Reiprich, B. Hahnlein, J. Stauffenberg, E. Manske, S. Narasimha, S. Abedin, H. O. Jacobs, J. Pezoldt. ВMoS2MoS2 сб.: 2022 IEEE 22nd Int. Conf. on Nanotechnology (NANO) (IEEE, Palma de Mallorca, Spain, 2022) p. 527. DOI: 10.1109/NANO54668.2022.9928717
  13. B. Chakraborty, A. Bera, D.V.S. Muthu, S. Bhowmick, U.V. Waghmare, A.K. Sood. Phys. Rev. B: Condens. Matter, 85, 2 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.16140
  14. B. Miller, E. Parzinger, A. Vernickel, A.W. Holleitner, U. Wurstbauer, B. Miller, E. Parzinger, A. Vernickel, A.W. Holleitner, U. Wurstbauer. Appl. Phys. Lett., 106, 122103 (2015). DOI: 10.1063/1.4916517
  15. J. van Baren, G. Ye, J.-A. Yan, Z. Ye, P. Rezaie, P. Yu, Z. Liu, R. He, C.H. Lui. 2D Mater., 6, 025022 (2019). DOI: 10.1088/2053-1583/ab0196
  16. X. Zhou, K. Jin, X. Cong, Q. Tan, J. Li, D. Liu, J. Luo. J. Colloid Interface Sci., 538, 159 (2019). DOI: 10.1016/j.jcis.2018.11.032

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme