Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 4 » Статья стр. 214
<<<>>>
Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий
Левина С.А.1, Емельянов В.М.1, Корниенко П.Д.1, Ларионов В.Р.1, Нахимович М.В.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: levina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 26 июня 2025 г.
Принята к печати: 15 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.
PDF версия
Электролюминесцентным методом исследованы трехпереходные GaInP/Ga(In)As/Ge солнечные элементы после облучения 2 и 4.5 MэВ электронами и 10 MэВ протонами. Определены плотности рекомбинационных токов p-n-переходов и рассчитаны зависимости времен жизни неравновесных носителей заряда в GaInP- и Ga(In)As-слоях в зависимости от флюенсов повреждающих частиц и дозы структурных повреждений, вычислены коэффициенты повреждения для рассмотренных материалов и частиц. Ключевые слова: электролюминесценция, солнечный элемент, радиационная стойкость, рекомбинационный ток.
  1. J.M. Raya-Armenta, N. Bazmohammadi, J.C. Vasquez, J.M. Guerrero. SEM and SC, 233, 111379 (2021). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111379
  2. G. Yan, J. Wang, J. Liu, Y. Liu, R. Wu, R. Wang. J. Luminesc., 219, 16905 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116905
  3. R. Hoheisel, D. Scheiman, S. Messenger, P. Jenkins, R. Walters. IEEE Trans. Nucl. Sci., 62 (6), 2894 (2015). https://doi.org/10.1109/TNS.2015.2498838
  4. W. Zhang, A. Aierken, Yu Zhuang, B. Wang, L. Fang, Sh. Zhang, D. Zhang, X. Yang, Q. Song, T. Wang. Int. J. Energy Res., 46 (10), 14060 (2022). https://doi.org/10.1002/er.8122
  5. T. Kirchartz, U. Rau, M. Hermle, A.W. Bett, A. Helbig, J.H. Werner. Appl. Phys. Lett., 92, 123502 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2903101
  6. U. Rau. Phys. Rev. B, 76, 085303 (2007). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.085303
  7. S.A. Levina, V.M. Emelyanov, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts. Appl. Phys. Lett., 125 (13), 132105 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0218485
  8. C. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45 (9), 1228 (1957). http://dx.doi.org/10.1109/JRPROC.1957.278528
  9. А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые преобразователи (М. Сов. радио, 1971)
  10. C. Baur, M. Gervasi, P. Nieminen, S. Pensotti, P.G. Rancoita, M. Tacconi. Astroparticle, Particle, Space Physics and Detectors for Phys. Appl., 692 (2014). https://doi.org/10.1142/9789814603164_0111
  11. S.R. Messenger, G.P. Summers, E.A. Burke, R.J. Walters, M.A. Xapsos. Progr. Photovolt., 9 (2), 103121 (2001). https://doi.org/10.1002/pip.357
  12. M. Yamaguchi, T. Sasaki; H.-S. Lee, C. Morioka, N.J. Ekins-Daukes, M. Imaizumi. 33rd IEEE Photovolt. Specialists Conf. (2008). https://doi.org/10.1109/PVSC.2008.4922716
  13. S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Phys. Semicond. Dev., 44 (8), 1084 (2010). https://doi.org/10.1134/S1063782610080233

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme