Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2025, выпуск 4 » Статья стр. 242
<<<
Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого p+-i-n+-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками
Российский научный фонд, 25-12-00367
Демидов Е.В.1, Захаров В.Е.1, Шмагин В.Б. 1, Яблонский А.Н. 1, Новиков А.В. 1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: demidov@ipmras.ru, shm@ipmras.ru, yablonsk@ipmras.ru, anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2025 г.
Принята к печати: 17 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.
PDF версия
Проведено моделирование транспортных и излучательных характеристик экспериментально исследованных ранее светоизлучающих латеральных кремниевых p+-i-n+-транзисторов с массивом Ge(Si)-наноостровков, сформированных на подложке-"кремний-на-изоляторе". Выполненное моделирование позволило количественно описать экспериментальные результаты, свидетельствующие о возможности управления пространственным распределением интенсивности излучения в таких светоизлучающих транзисторах за счет подачи управляющего напряжения на подложку. Показано, что такая возможность возникает за счет управления индуцированным каналом проводимости для электронов или дырок, формируемым на границе структуры со скрытым окислом. Ключевые слова: светоизлучающие p+-i-n+-транзисторы, Ge(Si)-наноостровки, пространственная локализация, электролюминесценция.
  1. S. Shekhar, W. Bogaerts, L. Chrostowski, J. E. Bowers, M. Hochberg, R. Soref, B. J. Shastri. Nature Commun., 15, 751 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-44750-0
  2. S. Y. Siew, B. Li, F. Gao, H. Y. Zheng, W. Zhang, P. Guo, S. W. Xie, A. Song, B. Dong, L. W. Luo, C. Li, X. Luo, G.-Q. Lo. J. Lightwave Technol., 39, 4374 (2021). https://doi.org/10.1109/JLT.2021.3066203
  3. S. Y. Bao, Y. Wang, K. Lina, L. Zhang, B. Wang, W. A. Sasangka, K. E. K. Lee, S. J. Chua, J. Michel, E. Fitzgerald, C. S. Tan, K. H. Lee. J. Semicond., 42 (2), 023106 (2021). https://doi.org/10.1088/1674-4926/42/2/023106
  4. Y. Hu, D. Liang, K. Mukherjee, Y. Li, C. Zhang, G. Kurczveil, X. Huang, R. G. Beausoleil. Light: Sci. Appl., 8, 93 (2019). https://doi.org/10.1038/s41377-019-0202-6
  5. Z. Li, J. Xue, M. Cea, J. Kim, H. Nong, D. Chong, K. Y. Lim, E. Quek, R. J. Ram. Nature Commun., 14, 882 (2023). https://doi.org/10.1038/s41467-023-36639-1
  6. J. Xue, J. Kim, A. Mestre, K. M. Tan, D. Chong, S. Roy. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (8), 3870 (2021). https://doi.org/10.1109/TED.2021.3085541
  7. M. Cea, Z. Li, M. Notaros, J. Notaros, R. J. Ram. APL Photonics, 8, 081301 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0156602
  8. J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35 (5), 679 (2010). https://doi.org/10.1364/OL.35.000679
  9. X. Xu, T. Tsuboi, T. Chiba, N. Usami, T. Maruizumi, Y. Shiraki. Opt. Express, 20, 14714 (2012). https://doi.org/10.1364/OE.20.014714
  10. R. Koerner, M. Oehme, M. Gollhofer, M. Schmid, K. Kostecki, S. Bechler, D. Widmann, E. Kasper, J. Schulze. Opt. Express, 23 (11), 14815 (2015). https://doi.org/10.1364/OE.23.014815
  11. M. Brehm, M. Grydlik. Nanotechnology, 28, 392001 (2017). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa8143
  12. V.B. Shmagin, A.N. Yablonskiy, M.V. Stepikhova, D.V. Yurasov, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, E.E. Rodyakina, E.E. Morozova, D.V. Shengurov, S.A. Kraev, P.A. Yunin, A.I. Belov, A.V. Novikov. Nanotechnology, 35 (16), 165203 (2024). http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ad1f8a
  13. A.N. Yablonskiy, V.B. Shmagin, V.E. Zakharov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, E.V. Demidov, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, E.E. Rodyakina, E.E. Morozova, D.V. Shengurov, S.A. Kraev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 125, 231103 (2024). http://dx.doi.org/10.1063/5.0239609
  14. T. Oyamada, H. Uchiuzou, S. Akiyama, Y. Oku, N. Shimoji, K. Matsushige, H. Sasabe, C. Adachi. J. Appl. Phys., 98 (7), 074506 (2005). http://dx.doi.org/10.1063/1.2060932
  15. J. Zaumseil, R.H. Friend, H. Sirringhaus. Nature Materials, 5, 69 (2006). https://doi.org/10.1038/nmat1537
  16. S. Saito, D. Hisamoto, H. Shimizu, H. Hamamura, R. Tsuchiya, Y. Matsui, T. Mine, T. Arai, N. Sugii, K. Torii, S. Kimura, T. Onai. Appl. Phys. Lett., 89 (16), 163504 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2360783
  17. П.А. Юнин, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, Е.В. Демидов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 5, 92 (2024). https://doi.org/10.31857/S1028096024050094
  18. Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 26, 014029 (2011). https://doi.org/10.1088/0268-1242/26/1/014029
  19. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖТФ, 67 (1), 46 (1998)
  20. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002)
  21. D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron Dev., 16 (1), 64 (1969). https://doi.org/10.1109/T-ED.1969.16566
  22. D.J. Roulston, N.D. Arora, S.G. Chamberlain. IEEE Trans. Electron Dev., 29 (2), 284 (1982). https://doi.org/10.1109/T-ED.1982.20698
  23. N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii. JETP Lett., 106, 308 (2017). http://dx.doi.org/10.1134/S0021364017170118

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme