"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизме тока в тонкопленочных монокристаллических p-n-переходах на основе PbS
Кузнецов В.С.1, Бочкарева Л.В.1
1Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики вертикальных тонкопленочных монокристаллических p-n-переходов на основе PbS в температурном интервале 80-263 K. Обработка экспериментальных данных позволяет сделать вывод о наличии шунтирующего омического поверхностного сопротивления и влиянии инжектированных неосновных носителей на электропроводность материала пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.