Приведены результаты исследования изменения спектров фотолюминесценции (ФЛ) в области краевой и примесной излучательной рекомбинации в GaAs (Te) с увеличением уровня легирования от n=10¹⁷ до n=10¹⁹ см^-3. При концентрациях свободных носителей n=(3/4)·10¹⁸ см^-3 обнаружено существенное возрастание интенсивности краевой ФЛ, которое связывается с образованием примесной сверхструктуры. В области концентраций n=(1/3)·10¹⁸ см^-3 происходит смена состава доминирующих сложных центров рекомбинации, при n>3·10¹⁸ см^-3 доминируют центры, ответственные за полосу ФЛ с hnu_max=1.33/1.4 эВ, не связанные с медью. Определена энергия ионизации основного состояния этого центра (0.14/0.19 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.